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[期刊论文] 作者：南轸,陆宗寰,吴瑶,宋贯交,黄德培,施有纯,张莉倩,陆筱旖,,
来源：化学传感器 年份：1986
P.Bergvld在1970年发现将Mos场效应管的绝缘层栅siO2或Si3N4与溶液相接触,能对H+产生Nernst响应。随后到1975年S.D.Moos利用PVC膜离子选择敏感材料涂层于上述场效应管绝缘层...
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