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[会议论文] 作者：龙雪豪,时凯居,冀子武,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
ZnO 是一种宽禁带直接带隙半导体，由于其较高的激子束缚能(60 meV)，在光电领域有广泛的应用前景1.但ZnO 材料存在的天然n 型电导以及自补偿效应等特点，使得制备稳定p-ZnO 具有一定难度2.近年来，通过离子注入对ZnO 进行Na 掺杂以制备稳定p-ZnO 成为研究热点.......
[期刊论文] 作者：时凯居,李睿,李长富,王成新,徐现刚,冀子武,
来源：物理学报 年份：2022
光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.?本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,?深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件.?由于InGaN阱层是一种多元合金且受到来自GaN垒层的应力作用,?所......
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