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[学位论文] 作者：晏长岭,,
来源：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 年份：2000
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）以其光束发散角小、圆形光斑易于与光纤耦合、极短的光学谐振腔易于实现动态单纵模工作、表面出射易于二维列阵器件的集成以及极低的功率消耗......
[期刊论文] 作者：郭运峰, 晏长岭,,
来源：科技资讯 年份：2015
自动化与节能化是当今洗衣机发展的主流趋势。该文根据洗衣机节能指标的要求,选择AT89C52单片机作为系统电路的控制核心,并采用浊度传感器检测洗涤水的混浊程度,实施以节水为...
[期刊论文] 作者：王佳彬, 晏长岭,,
来源：电子世界 年份：2018
为了降低单管半导体激光器的结温、提高器件的散热效果,采用ANSYS软件对不同焊料厚度封装的激光器进行稳态热分析,在此基础上,研究了不同焊料厚度对单管激光器结温和腔面侧向...
[期刊论文] 作者：晏长岭,赵英杰,等,
来源：半导体学报 年份：2001
用分子束外延技术（MBE）生长了GsAs/AIAs超晶格替代AIxGa1-xAs所形成的P型半导体／超晶格分布布拉格反射镜（DBR）。此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm。由实验表明，19个周期...
[期刊论文] 作者：晏长岭,钟景昌,
来源：中国激光 年份：1999
给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性，并设计了相应结构的激光器件；然后由LPE技术......
[会议论文] 作者：秦莉,晏长岭,王立军,
来源：第五届全国光子学大会 年份：2004
通过计算微环谐振器的输入/输出波导与光纤耦合时的损失，给出了耦合损失与输入/输出波导的光斑半径（尺寸）的关系；当采用大光斑尺寸的波导时，可以减少这种耦合损失。通过分析，设计了一种Horn结构来减少输入/输出波导与光纤耦合时的损失。......
[期刊论文] 作者：陈启明,晏长岭,曲轶,
来源：发光学报 年份：2019
由于1.55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1.55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关...
[期刊论文] 作者：晏长岭,路国光,秦莉,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2010
High-power vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs) are processed using a wet thermal-selective oxidation technique.The VCSEL chips are packaged by emplo...
[期刊论文] 作者：晏长岭,路国光,秦莉,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2010
High-power vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are processed using a wet thermal-selective oxidation technique. The VCSEL chips are packaged by employing three different bonding methods of silver solder, In-Sn solder, and metal......
[期刊论文] 作者：晏长岭,赵英杰,钟景昌,
来源：半导体学报 年份：2001
用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 n...
[期刊论文] 作者：罗妍,郝永芹,晏长岭,
来源：红外与毫米波学报 年份：2021
研究了一种940 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅反射镜(HCG),采用GaAs/AlOx光栅结构,讨论了TE偏振时光栅结构中各参数对反射光谱的作用规律,分析TE、TM不同偏振时反射镜的结构特点,及形貌误差对高反射带的影响.设计的TE-HCG的高反射带中心为940 nm,在......
[期刊论文] 作者：刘文莉,钟景昌,晏长岭,,
来源：发光学报 年份：2006
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列的方法，实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉......
[期刊论文] 作者：李雨霏,晏长岭,史建伟,,
来源：半导体技术 年份：2016
微盘激光器是形如图钉状、尺寸在光波长量级的微型激光器。在微盘腔中回音壁模式为其主要模式特征。由于其具有阈值低、体积小、几何图形简单、可动态模操作、易与其他电子元...
[期刊论文] 作者：黎荣晖,赵英杰,晏长岭,钟景昌,
来源：兵工学报 年份：2000
1.55μm半导体激光器有很多突出的优点, 但普通的双异质结激光器功率小, 且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中，用液相外延技术研制...
[期刊论文] 作者：赵英杰,黎荣晖,晏长岭,钟景昌,
来源：半导体光电 年份：2000
GaInAsP/InP系列激光器由于其T0 小 ,且受环境温度影响大 ,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。而采用大光腔 (LOC)结构的激光器 ,其T0 值可达 10 0～ 140K ,单个 1.3μm激...
[期刊论文] 作者：赵英杰,黎荣晖,晏长岭,钟景昌,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1999
本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－３μ......
[期刊论文] 作者：晏长岭,邓昀,李鹏,宋小卯,史建伟,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2012
InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are fabricated by a thermal selective wet-oxidation confinement technique. Post-oxidation annealing...
[期刊论文] 作者：张秋波,冯源,李辉,晏长岭,郝永芹,
来源：中国激光 年份：2020
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的“镂空”现象,对湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺进行详细研究,研究结果表明通过调整刻蚀液体......
[期刊论文] 作者：杨凯,钟景昌,郝永芹,晏长岭,黄波,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用一种新工艺制备垂直腔面发射激光器阵列（VCSELs）的方法。用环形分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口，孔的分布是由出光孔、侧向氧化深度和湿法腐蚀深度等......
[期刊论文] 作者：王青, 赵路民, 宁永强, 秦莉, 晏长岭, 王立军,
来源：光通信研究 年份：2004
垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其优异的性能有望成为信息时代的新光源.文章介绍了用于光通信的VCSEL的开发现状....
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