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[学位论文] 作者：普朝光,
来源：云南大学 年份：1993
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[会议论文] 作者：普朝光,张震,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
该言法具有其它仪器分析方法无法达到的技术参数，可作为冶金 半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析方法。...
[期刊论文] 作者：普朝光,陈云超,
来源：云南冶金 年份：1997
研究并报导了一种应用辉光放电质谱仪直接测定钢铁中锰，铅等１４种杂质元素的分析方法，并进行了讨论。实验结果表明，该方法分辨率高，且具有多元素同时快速分析的功能。按此方法测得的......
[期刊论文] 作者：普朝光,向兰,
来源：红外与激光工程 年份：2004
基于动态变温方法及间接热释电电流法的原理,设计并研制了一套已获专利授权的动态热释电系数测试系统.介绍了该系统的测量原理、设计方法及组成,用已知热释电系数值的锆钛酸...
[期刊论文] 作者：普朝光,杨宗璐,
来源：云南大学学报：自然科学版 年份：1998
用定态体视显微镜法测量了ＴＧＦＢ晶体在５％，８％，１０％的甘油－水混合溶剂中的生工速率（Ｒ）与相对过饱和度（σ）的函数关系，Ｒ与σ的关系符合Ｂｕｒｔｏｎ，Ｃａｂｒｅｒａ和Ｆｒａｎｋ提出的关于晶体生长的螺旋位错机制的面扩散模型，根据Ｂｅｎｎｅｍａ修正的ＢＣＦ模型估......
[期刊论文] 作者：普朝光,肖绍泽,
来源：质谱学报 年份：1997
本文报导了一种用辉光放电质谱仪ＶＧ９０００在无标准品的情况下对超纯半导体材料锗中２３种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有１０ｐｐｔ量级的检测极限，是鉴定超纯金属或半导体材料......
[会议论文] 作者：普朝光,黄承彩,
来源：第五届全国微米/纳米技术学术会议 年份：2001
利用惰性气体沉积法在外加电场的存在下生长了纳米晶金薄膜,并研究了外加电场对薄膜生长的影响;实验表明,外加电场改变了纳米晶金薄膜的结构及电阻率.厚度相同的薄膜其电阻率随外加电场强度的升高而增加,当电场强度大于48V/cm后,已不能得到连续的薄膜.惰性气体......
[期刊论文] 作者：李振豪,李琳,普朝光,,
来源：硅酸盐学报 年份：2011
利用射频磁控溅射方法生长掺钛铌镁酸铅-钛酸铅(lead magnesio-niobate titanate,PMN-PT)薄膜,研究PMN-PT薄膜的热处理技术,并测试制备的PMN-PT薄膜样品的晶向结构及电性能。...
[期刊论文] 作者：普朝光,张震,肖绍泽,
来源：红外与激光工程 年份：1997
首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的......
[期刊论文] 作者：杨宗璐,鲍慈光, 普朝光,
来源：人工晶体学报 年份：1995
用静态体视显微镜法测定了３１６．９６Ｋ时氟铍酸甘氨酸（简称ＴＢＦＢ）晶体在不同过饱和度（σ）的水溶液中（１１０）晶面的面生长速率（Ｒ），实验数据通过微机运算，用最小二乘法得出Ｒ与σ的函数关系，并由此估算出晶体生长过......
[期刊论文] 作者：鲍慈光,杨宗璐,普朝光,
来源：人工晶体学报 年份：1994
测定了氟铍酸三甘肽（ＴＧＦＢ）晶体在０～３０ｗｔ－％的乙二醇，水混合溶剂中，温度区间为２５～５０℃的溶解度和过饱和度曲线，确定了生长亚稳区范围，拟合出了溶解度随温度、乙二醇浓度变化的经验方程式为Ｓ＝（１─０．８６７ｍ）×３．８２×１０￣（－１３）Ｔ￣（５．７６）─４０．０ｍ，并讨......
[期刊论文] 作者：杨宗璐,鲍慈光,普朝光,
来源：云南大学学报(自然科学版) 年份：1994
测定了氟铍酸三甘肽晶体在０％～３８．７％的甘油－水混合溶剂中，温度区间为２５～５０℃的溶解度和过饱和度曲线，绘制出生长亚稳区图，拟合了溶解度随温度变化的经验方程，并对该晶体在甘油－水体系中的稳定性进......
[期刊论文] 作者：普朝光,张震,肖绍泽,陈云超,
来源：云南冶金 年份：1997
研究并报导了一种应用辉光放电质谱仪（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）直接测定钢铁中锰、铅等１４种杂质元素的分析方法，并进行了讨论。实验结果表明，该方法分辨率高，且具有多元素同时快速分析的功能。按此方法测得......
[期刊论文] 作者：陈丁文,李斌,董守安,普朝光,,
来源：岩矿测试 年份：2008
对利用铜试金预富集后辉光放电质谱法（GDMS）测定贵金属矿样中痕量Pt、Pd、Ir、Au的方法进行了探索性研究。着重考察了铜试金条件的选择和辉光放电电极的匹配、质谱的测定条件和...
[期刊论文] 作者：信思树, 普朝光, 杨明珠, 杨培志,,
来源：红外技术 年份：2006
介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法：刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染......
[期刊论文] 作者：荣百炼,普朝光,姬荣斌,鲁燕杰,
来源：质谱学报 年份：2004
采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯半导体材料锑中的Mg、Si、S、Mn等14种痕量杂质元素进行测量.对仪器工作参数进行了优化选择,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量...
[期刊论文] 作者：李丽萍, 普朝光, 白新志, 张鹏翔,
来源：云南冶金 年份：2004
用脉冲激光沉积法(PLD)分别在平的和倾角为10°、15°、20°的LaAlO3倾斜衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜和La0.67Ca0.33MnO3薄膜.用四探针法测量薄膜表面的电阻...
[期刊论文] 作者：普朝光,杨宗璐,鲍慈光,赵景畅,
来源：云南大学学报(自然科学版) 年份：1998
用定态体视显微镜法测量了ＴＧＦＢ晶体在５％，８％，１０％的甘油—水混合溶剂中的生长速率（Ｒ）与相对过饱和度（σ）的函数关系，Ｒ与σ的关系符合Ｂｕｒｔｏｎ，Ｃａｂｒｅｒａ和Ｆｒａｎｋ提出的关于晶体生长的螺旋位错机制的面扩散模型．根据Ｂｅｎｎｅｍａ修正的ＢＣＦ模型......
[会议论文] 作者：荣百炼,普朝光,姬荣斌,鲁燕杰,
来源：中国质谱学会第七届学术交流会 年份：2002
本文利用VG9000型辉光放电质谱仪,在反复试验的基础上,对高纯锑进行较为深入的测试分析研究,着重讨论了样品预溅射效果与时间的关系,从而消除样品制备过程中所带来的表面污染...
[期刊论文] 作者：李振豪,王忠华,李琳,普朝光,杨培志,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
采用射频磁控溅射方法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备出（PZT）铁电薄膜，在55 0℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理，并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜......
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