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[期刊论文] 作者：朱秉升,,
来源：四川石油经济 年份：1997
在现代经济活动中,企业劳动组织和劳动者形成了新型的劳动关系。市场经济的发展,要求企业必须改善劳动关系,提高劳动者的积极性,使二者的关系更加密切,更加协调,从而产生一种...
[期刊论文] 作者：朱秉升,
来源：中国工运 年份：1998
关于建设“四有”职工队伍的思考朱秉升积极探索社会主义市场经济条件下培育“四有”职工队伍的新途径，是关系到企业生存发展的大事。我认为，应从“转变、提高、增强”等方面做......
[期刊论文] 作者：宁建华,朱秉升,
来源：宇航材料工艺 年份：1992
本文介绍了作者采用半导体IC平面工艺技术,成功地研制出了超微粒SnO2薄膜器件,并对该器件的氧气敏感特性作了研究,得到了该器件的主要特性参数。对其灵敏度特性曲线的研究表...
[期刊论文] 作者：刘红侠,朱秉升,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化...
[期刊论文] 作者：严百平,朱秉升,
来源：西安交通大学学报 年份：1995
研究了利用ＶＥＴＯ技术获得的一种新的Ｓｎ－ＳｎＯｘ电阻式薄膜湿度传感器；湿敏薄膜包含β－Ｓｎ、ＳｎＯ和ＳｎＯ２态，ＳＥＭ观察表明，孔尺寸在０．１～０．５μｍ之间的表面结构对应着高性能的湿度传感器，环境湿度从１１％～９７％ＲＨ的变化过程中，传感器阻抗变化......
[期刊论文] 作者：严百平,朱秉升,
来源：西安交通大学学报 年份：1997
从氧化物表面的吸附特点出发，认为表面ＯＨ对湿度敏感起着非常重要的作用；在此基础上解释了湿度传感器中电子电导和离子电导同时存在的微观机理，并给出它们随环境湿度变化的数学关系......
[会议论文] 作者：严百平,朱秉升,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
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[会议论文] 作者：贾坛丽,朱秉升,
来源：1989年全国第五届集成电路CAD学术年会 年份：1989
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[会议论文] 作者：刘红侠,朱秉升,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
掺氧半绝缘多晶硅膜具有半绝缘性和电中性，用ＳＩＰＯＳ膜进行表面钝化可屏蔽外电场和表面电荷的影响。该文分析了ＳＩＰＯＳ的钝化原理，利用ＳＩＰＯＳ膜和ＳｉＯ〈，２〉膜双层结构钝化ＰＮ结二极管，明显提高了击穿电压，减小......
[期刊论文] 作者：王广民,朱秉升,
来源：南京理工大学学报(自然科学版) 年份：1989
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和...
[期刊论文] 作者：刘红侠,郝跃,朱秉升,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化...
[期刊论文] 作者：相奇,罗晋生,朱秉升,
来源：半导体学报 年份：1991
本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs...
[期刊论文] 作者：海国强,朱秉升,罗晋生,
来源：西安交通大学学报 年份：1986
本文从理论和实验两方面对a-Si:H FET的特性进行分析研究。给出了一种关于a-Si:H FET新的理论分析方法,假设a-Si:H能隙中深局域态密度和带尾局域态密度均为指数分布,并且考虑...
[期刊论文] 作者：海国强,朱秉升,罗晋生,
来源：半导体技术 年份：1988
本文研究非晶硅薄膜场效应管(a-Si:H FET)的特性.探索了制作a-Si:HFET的工艺条件,制作出了用Si_3N_4或SiO_2作为栅绝缘层的a-Si:H FET,建立了测量其直流特性的测量装置,得到...
[期刊论文] 作者：严百平,朱秉升,刘道新,
来源：材料研究学报 年份：1996
报道了一种制备Ｓｎ－ＳｎＯｘ湿敏薄膜的新工艺（ＶＥＴＯ）。首先在１ｍＰａ的真空下蒸发纯金属Ｓｎ质量分数９９９ｍｇ·ｇ＾－１，衬底温度控制在１５０￣２５０℃，蒸发的Ｓｎ膜在空气中缓慢氧化，即可获得湿度敏感的Ｓｎ－ＳｎＯｘ薄膜，利用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了膜的晶体结构和表......
[期刊论文] 作者：周彩弟,罗晋生,朱秉升,
来源：西安交通大学学报 年份：1983
本文研究了N~+注入硅表面上Al_2O_3膜后,离子注入层在稀释氢氟酸中的增强腐蚀效应.实验研究了N~+的注入剂量分别为2×10~(14)/厘米~2、5×10~(14)/厘米~2、1.3×10~(15)/厘米...
[期刊论文] 作者：周世禄,朱秉升,周彩弟,罗晋生,
来源：西安交通大学学报 年份：1987
本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~+注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec...
[期刊论文] 作者：邵志标,向凌顶,林长贵,朱秉升,
来源：西安交通大学学报 年份：1997
提出一种ＩＣ芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法．采取ＧＰ模型建立双向目标函数进行全局优化提取．分１级和２级参数两层处理．１级参数系提取ＩＣ设计中各管的共同参数，２级参数则为提取与各......
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