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[会议论文] 作者：王引书,李亚闽,张方方,林兰英,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
用Ｃ〈，２〉Ｈ〈，４〉在不同条件下将Ｓｉ（１００）衬底碳化形成ＳｉＣ的缓冲层，并在其上生长了ＳｉＣ，研究了碳化层对外延生长的影响。在固定温度下碳化洁净的Ｓｉ（１００）面，形成了多晶ＳｉＣ缓冲层；在升温过程碳化或保留升温过程形成......
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