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[学位论文] 作者：李哲深,
来源：复旦大学 年份：1994
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[期刊论文] 作者：王杰,李哲深,
来源：半导体学报 年份：1992
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及...
[期刊论文] 作者：李哲深,蔡卫中,
来源：半导体学报 年份：1994
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明......
[期刊论文] 作者：葛毓青,李哲深,
来源：仪器仪表学报 年份：1990
首次建成了国产反光电子谱仪的自动化数据采集及处理系统。整个测量装置由Apple Ⅱ微机、计数器、PIO 和A/D、D/A 卡等电路组成。...
[期刊论文] 作者：张福明,李哲深,秦素萍,李强,王玉红,,
来源：新乡医学院学报 年份：2012
目的观察热疗在阿霉素对人急性髓系白血病细胞株KG-1a细胞杀伤作用中的増敏作用。方法四甲基偶氮唑蓝（MTT）法确定阿霉素的工作浓度,以该浓度进行化学治疗和热疗联合化学治疗,选......
[期刊论文] 作者：曹先安,胡海天,丁训民,陈溪滢,袁泽亮,李哲深,侯晓远,
来源：自然科学进展 年份：1998
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失...
[期刊论文] 作者：胡海天,丁训民,袁泽亮,李哲深,曹先安,侯晓远,陆尔东,徐世,
来源：半导体学报 年份：1998
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要......
[期刊论文] 作者：胡海天,丁训民,袁泽亮,李哲深,曹先安,侯晓远,陆尔东,徐世红,徐彭寿,张新夷,
来源：半导体学报 年份：1998
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要......
[期刊论文] 作者：袁泽亮,丁训民,胡海天,李哲深,杨建树,缪熙月,陈溪滢,曹先安,侯晓远,陆尔东,徐世红,徐彭寿,张新夷,
来源：物理学报 年份：1998
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生较厚的Ｇａ硫化物层和较强的Ｇａ—Ｓ键，Ｇａ的硫......
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