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[期刊论文] 作者：李将禄,郭立群,
来源：哈尔滨师范大学自然科学学报 年份：1996
本文介绍了半导体致冷材料在室温条件下热导率测试装置的制作原理及方法。本装置的特点是采用绝对稳态法测试，样品做得薄，侧面散热小，测试误差小。...
[期刊论文] 作者：李将禄,郑金崴,
来源：哈尔滨师范大学自然科学学报 年份：1996
本恒温控制装置采用价格低廉的运算放大器和三位半数字电压表专用集成电路，具有较高的控温精度，经４年的使用对半导体区熔炉的控温效果良好。...
[期刊论文] 作者：赵秀平,李将禄,
来源：哈尔滨师范大学自然科学学报 年份：1993
研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10~(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温...
[期刊论文] 作者：李将禄,张晓晔,赵秀平, 刘薇,
来源：人工晶体学报 年份：1995
本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取......
[期刊论文] 作者：刘忠厚,李将禄,张群,宁潜燕,
来源：量子电子学 年份：1991
从理论上已证明了经典光伏理论(即“迭加理论”)应该修正。有关文献详细评述了“迭加理论”。本文根据新的光伏理论给出新的等效电路图,给出了光电池的最佳负载公式,可供光...
[期刊论文] 作者：李将禄,张静捷,赵秀平,刘莲,
来源：黑龙江电子技术 年份：1994
研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处...
[期刊论文] 作者：李将禄,张伟光,冀士学,郑金崴,
来源：哈尔滨师范大学自然科学学报 年份：1996
本恒温控制装置采用价格低廉的运算放大器和三位半数字电压表专用集成电路，具有较高的控温精度，经４年的使用对半导体区熔炉的控温效果良好。The thermostat control device us...
[期刊论文] 作者：马丛笑,宁潜艳,郑艺娜,李将禄,
来源：哈尔滨师范大学自然科学学报 年份：2001
本文采用往复区熔法生长了掺杂SbI3的(Bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05赝三元n型半导体温差电材料,测定了晶棒轴向温差电性能.所制备的质量为2000g,直径为33mm的n型晶锭...
[期刊论文] 作者：李将禄,郭立群,张伟光,冀士学,荣剑英,
来源：黑龙江电子技术 年份：1996
本文介绍了生产半导体致冷材料用的单相六温区无变压器管式熔炼炉的结构，恒温控制原理及性能特点，并与单温区、三温区熔炼炉性能进行了比较。这种炉控温能力强，成本低，节约能源，重......
[期刊论文] 作者：冀士学,吕长荣,夏伟宁,张伟光,李将禄,
来源：人工晶体学报 年份：1997
半导体致冷材料研制和生产过程中，重要的工序之一就是熔炼，即将Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｓｅ等多种元素按一定质量比装在真空玻璃管中，用摇摆管式熔炼炉在６２０～６８０℃之间选用最佳的温度条件熔炼。经几年反复设......
[期刊论文] 作者：李理,王月媛,李将禄,周胜,李华,胡建民,,
来源：大学物理实验 年份：2015
提出一种测试热电材料室温下塞贝克系数的有效方法并搭建了其测试装置。该测试装置通过电路控制获得标准温差实现塞贝克系数的精确测量，其特点是利用电路控温取代传统的恒温循......
[期刊论文] 作者：解晓颜,李理,胡建民,李将禄,王月媛,
来源：大学物理实验 年份：2016
对半导体热电效应演示实验装置进行优化改进,使用大屏数字温度计显示Peltier效应的温度变化,通过声、光、电多种形式展示Seebeck效应的温差发电效果,优化后热电效应演示实验...
[期刊论文] 作者：李将禄,郭立群,全秀凤,冀士学,宁潜艳,
来源：哈尔滨师范大学自然科学学报 年份：1996
本文介绍了半导体致冷材料在室温条件下热导率测试装置的制作原理及方法。本装置的特点是采用绝对稳态法测试，样品做得薄，侧面散热小．测试误差小．This paper introduces the fa...
[期刊论文] 作者：赵洪安,夏伟宁,宁潜艳,马丛笑,李将禄,
来源：人工晶体学报 年份：1997
在研究和生产半导体致冷材料的过程中，需要测定材料的热导率，我们研制了一套半导体致冷材料室温热导率测试装置，设备简单，样品安装方便，测试精度高。测量热导率的方法有稳态法和动......
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