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[期刊论文] 作者：李效白,
来源：探索 年份：1996
【正】遂宁市地处川中腹地、涪江中游,与成都、重庆构成等腰三角形.与绵阳、德阳、南充、内江等地市相邻,距离都在 180公里以内.1985年 2月经国务院批准建立省辖市,辖射洪、...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：半导体情报 年份：2000
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：半导体学报 年份：1999
本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压、沟道电流 及它们之间的关系进行了计算分析，可作为材......
[期刊论文] 作者：李效白,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文通过功率GaAs MESFET的筛选与环境、寿命试验阐述了器件的早期失效模式模型,估计了可靠性水平,指出了主要失效因素,并用实验方法讨论了突变烧毁失效,分析了失效原因,探讨...
[期刊论文] 作者：李效白,,
来源：半导体技术 年份：2009
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气（2DEG）和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应，电子来源是AlGaN上的施主表面态。...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点，是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料。宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的性能和......
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：微纳电子技术 年份：2004
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(...
[期刊论文] 作者：李效白,,
来源：半导体情报 年份：1989
本文从设计理上系统地推导和分析了共源、共栅和共漏组态下的GaAsFET振荡频率,并研究了温漂和时漂等问题,理论能较好地解释实验结果。...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：真空科学与技术 年份：2000
在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀，但对于加工２００ｍｍ以上直径的片子和０．２５μｍ的线宽及孔洞，它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备（ＥＣＲ，ＩＣＰ，ＨＷＰ）和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子......
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：半导体技术 年份：2001
GaN是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料,具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度.本文着重阐述了宽禁带Ⅲ-V族化合物半导体...
[期刊论文] 作者：李效白,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单／双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路，它们具有高频高速、低功耗、......
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：半导体情报 年份：2000
综合了ＧａＡｓ和ＩｎＰ基ＨＦＥＴ工艺中选择腐蚀技术的有关报道，重点介绍了应用ＩＣＰ设备和气体组合ＢＣＩ＋ＳＦ６进行异质结材料组合的干法腐蚀实验，腐蚀后在显微镜和扫描电镜窗口平整干净、作迁移率测试等为法腐蚀的......
[学位论文] 作者：李效白,
来源：东华大学 年份：2010
目前纺织工业使用的细纱机控制系统大多由PLC系统构成。而以SOC单片机、ARM为微处理器配合FPGA/CPLD可编程逻辑器件架构的嵌入式系统以其高可靠性、高性价比、高度集成化等特...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：瞭望周刊 年份：1987
在改革、开放、搞活的新形势下,能否经得起金钱的诱惑,过好“金钱关”,是摆在党员干部面前的一个十分严肃的问题。 我们党是久经考验的马克思主义政党,为了人民的解放和民族...
[期刊论文] 作者：李效白,,
来源：半导体情报 年份：1984
本文介绍了功率砷化镓肖特基势垒栅场效应管(GaAs MESFET)微波性能的理论分析方法,叙述了对器件进行计算与实验测量的结果,讨论了典型的实验现象,证明了本文的分析对功率GaAs...
[会议论文] 作者：李效白,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题....
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：半导体情报 年份：2000
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：瞭望周刊 年份：1988
最近,武汉市上上下下关心的一个“热点”问题,是如何推进象武汉这样的内陆城市的对外开放。有人提出,武汉的对外开放,将有利于我国“经济特区——沿海开放城市——沿海经济...
[会议论文] 作者：李效白,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：李效白,
来源：瞭望周刊 年份：1986
“挂牌办案”,这是山西省河津县人民检察院到基层直接处理案件的一个新做法,受到群众的好评。 一九八四年六月的一天,山西省河津县人民检察院在城关镇第一次挂出群众上访接...
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