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SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.
碳化硅电子器件的基础问题
【摘 要】
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SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.
【机 构】
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专用集成电路国家重点实验室(石家庄市)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年期
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