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[期刊论文] 作者：李昌世,
来源：四川有色金属 年份：1994
6N—8N高纯镓、铟、砷、磷、碲、镉、汞等高纯元素是制备化合物半导体材料的基础材料,要求严格控Fe、Al、Mg、Si、Cu、Pb、Cd、Zn、Sn、C、H、O、N、Na、K等杂质浓度,为...
[期刊论文] 作者：李昌世,
来源：四川有色金属 年份：1994
本文评述了1983~1993年半导体硅材料、高纯元素、化合物半导体等高纯半导体材料的分析进展。...
[期刊论文] 作者：李昌世,
来源：四川有色金属 年份：1997
文本简要评述了半导体及高纯材料体杂质分析试样的表面处理。...
[期刊论文] 作者：李昌世,,
来源：分析化学 年份：1981
半导体外延工艺用的三氯化砷,含有一定量挥发性氯代烷,容易与铬、钼、钨、钒等金属反应生成难溶的碳化物,影响器件的质量。本文根据三氯化砷极易与氢氧化钠作用生成不挥发易...
[期刊论文] 作者：李昌世,邹帮仁,
来源：分析试验室 年份：1990
在PC-1500袖珍计算机上利用BASIC语言编制了一套判断程序,包括不同置信度的9种统计方法,可以检验实验数据的可疑值以决定取舍。...
[期刊论文] 作者：李昌世,叶志成,由云霞,
来源：冶金分析与测试(冶金分析分册) 年份：1985
氢化法测定硫,具有试剂易纯化,空白值低,灵敏度高等优点.许多作者使用不同类型的催化剂,提高硫化氢的生成率,改善方法的精密度,用来测定多种材料中的痕量硫.但是这些催化剂在...
[期刊论文] 作者：李昌世,罗月蟾,吴锦瑛,,
来源：分析化学 年份：1983
本文根据平衡蒸汽压的差别,利用的V形管装置,以含氧量小于1ppm的氩和氢作载气,蒸馏分离测定了碲化镉中x—0.00x％的游离碲、游离镉和氧化镉。 1.主要试剂及仪器: 氢气:高纯,流...
[期刊论文] 作者：李昌世,赵桂珍,吴锦瑛,,
来源：分析化学 年份：1984
在非水滴定的基础上,用百里酚蓝的丙酮-甲醇溶液,试验了非水比色测定微量碳的方法。可以测定纯砷中2—14微克碳,变异系数6.12％。与气相色谱定碳法相比,结果相符,操作简单、成...
[期刊论文] 作者：李昌世,杜根兰,叶志成,由云霞,,
来源：分析化学 年份：1982
本文提出用HI-HBr-NaH_2PO_2还原混合物,作极谱法测定纯铟中痕量硫的还原溶剂。其提纯工艺简单、溶样时间不超过20分钟。方法的空白值小于0.05微克、标准偏差0.01微克,检测...
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