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[期刊论文] 作者：李助兴,李正庭,
来源：呼和浩特科技 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：李正庭,石家纬,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1989
采用PID校正网络研制了温度可调节的高精度半导体激光器恒温仪,测试结果表明,稳定度可达±2.0×10-3C,并讨论了其控温特性。更多还原...
[期刊论文] 作者：鲍诗平,李正庭,
来源：北京医学 年份：1998
特殊异物致鼻咽喉损伤一例报告鲍诗平李正庭患者，男，３４岁。因强行吞竹筷一小时，于１９９６年５月３０日来我院耳鼻喉科急诊。患者于一小时前，自吞一根竹筷，后感咽喉疼痛，不能言语，不能吞咽，涎液外溢，咽......
[期刊论文] 作者：李助兴,张玉鸿,李正庭,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：1992
用线性扫描电位法测定了以0.1M溴化钠为支持电解质、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂的体系中,电解合成二茂铁的阳极和阴极极化曲线,讨论了各组分的电极行为....
[期刊论文] 作者：徐先发,王洵,尹修民,李正庭,,
来源：中华耳鼻咽喉头颈外科杂志 年份：2006
目的探讨甲状腺乳头状腺癌(pap illary thyroid carc inom a,PTC)侵犯气管的治疗方式及其预后。方法回顾性分析1980—1995年间45例PTC侵犯气管患者的临床资料。根据肿瘤侵犯...
[期刊论文] 作者：殷宗友,杜国同,李正庭,杨树人,
来源：半导体光电 年份：2002
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)的实验结果。在室温下 ,正向电压为 3.3V和电流为 35 0mA时 ,其轴向亮度为 16× 10 4 cd/m2 ,可视角为 98°。The experime...
[期刊论文] 作者：李正庭,石家纬,金恩顺,邓永芳,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1989
采用PID校正网络研制了温度可调节的高精度半导体激光器恒温仪,测试结果表明,稳定度可达±2.0×10~(-3)C,并讨论了其控温特性。The temperature-adjustable high-precision...
[期刊论文] 作者：殷宗友,Densen Cao,杜国同,李正庭,杨树人,
来源：半导体光电 年份：2002
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的实验结果.在室温下,正向电压为3.3V和电流为350mA时,其轴向亮度为16×104cd/m2,可视角为98°....
[期刊论文] 作者：金恩顺,石家纬,马靖,李正庭,高鼎三,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1993
采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.更多还原...
[会议论文] 作者：李万程,李正庭,张源涛,杨小天,王涛,杜国同,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文采用RF磁控溅射法在Si衬底上制备了ZnO薄膜,用n型Si(001)做衬底,制备前用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗.用比例为c(HSO):c(HPO)=3:1的混合溶液加热到160...
[期刊论文] 作者：殷景志,杜国同,李宪龙,张源涛,王新强,李正庭,
来源：吉林大学学报(理学版) 年份：2002
提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法 .实验结果表明 ,抑制效果显著 ,制作工艺简单A new method is proposed to suppress the photoex...
[期刊论文] 作者：李红岩,石家纬,金恩顺,齐丽云,李正庭,高鼎三,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：金智,李明涛,王新强,李正庭,杨树人,杜国同,刘式墉,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：马艳,杜国同,杨树人,李正庭,李万成,杨天鹏,张源涛,赵佰军,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高...
[期刊论文] 作者：殷宗友,曹殿生,殷景志,张源涛,李正庭,杜国同,杨树人,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2003
In this paper, the GaN based epitaxial wafer is fabricated on big 1 mmx1 mm chips, and packaged with a special technology. At working current 350 mA and workin...
[期刊论文] 作者：马艳,杜国同,杨树人,李正庭,李万成,杨天鹏,张源涛,赵佰军,杨,
来源：功能材料与器件学报 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：石家纬,金恩顺,李红岩,李正庭,郭树旭,高鼎三,余金中,郭良,
来源：半导体学报 年份：1996
对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随的变化可对半导体激光器有效地进行评价和可靠性筛选。...
[期刊论文] 作者：殷景志,刘素萍,刘宗顺,王新强,殷宗友,李正庭,杨树人,杜国,
来源：中国激光 年份：2004
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形.实验中发现该结构既抑制了激射又改善...
[会议论文] 作者：刘博阳,杜国同,杨小天,仇登利,侯长民,李正庭,刘大力,杨树人,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文采用COCVD法生长出高质量的ZnO单晶薄膜.设备为具有自己知识产权的等离子增强COCVD系统.实验中分别利用硅、R-蓝宝石、C-蓝宝石等作衬底,以二乙基锌(DEZn)、氧气为源,利...
[期刊论文] 作者：李红岩,石家纬,金恩顺,齐丽云,李正庭,高鼎三,肖建伟,刘宗顺,
来源：中国激光 年份：1999
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器......
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