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[期刊论文] 作者：李荫波,刘杰,
来源：微电子学与计算机 年份：1987
为了制作高速、高密度CMOS VLSI 电路,必须减小器件尺寸.但是,由于(?)沟道和p 沟道器件之间间距的限制,即若其间距太小,则会直接影响抗闩锁能力,并使器件的隔离性能变差.因...
[期刊论文] 作者：赵元富,李荫波,,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文报道研制成功的一种开漏工作的200V MOS高压集成电路,并对高压NMOSFET的器件结构及N~-漂移区注入剂量进行了优化。该电路可用于自动控制的转换接口及平板显示驱动。工艺...
[期刊论文] 作者：徐大林,李荫波,王方,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化...
[期刊论文] 作者：赵长行,徐俊峰,李荫波,
来源：微电子学与计算机 年份：1987
一、引言随着集成电路的增大、复杂性的增加,仅靠试验摸索来确定工艺条件已经不能满足要求。因此,用计算机来模拟工艺过程,确定最优的工艺条件是十分必要的。本工作以SUPREM...
[期刊论文] 作者：彭忠献, 王方, 李荫波, 黄敞,,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文介绍一种深U型槽隔离CMOS工艺技术,对工艺实施中的若干问题进行了讨论,并对器件特性进行了分析。...
[期刊论文] 作者：彭忠献,王方,李荫波,黄敝,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
在VLSI 工艺中,U 型槽隔离方法很重要.本文报道了采用CF_4、SF_6、Ar、Cl_2、O_2、BCl_3、CHF_3等气体及其混合物进行的RIE(反应离子刻蚀)实验,发现Cl_2+Ar 最适用于深U 型槽...
[会议论文] 作者：夏增浪,李荫波,何卫,高宝嘉,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
在CMOS超大规模集成电路的输入和输出电路设计中，ESD的考虑是设计的重要内容，传统的提高ESD的保护方法（一般指增大尺寸）对于I/O电路的速度来说会带来负面的影响（ESD保护水平提高，而......
[期刊论文] 作者：徐大林,王方,李荫波,彭忠献,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性...
[会议论文] 作者：夏增浪,胡贵才,李荫波,赵元富,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文简单地介绍了ＢＳＩＭ１器件模型，给出了采用ＩＣ－ＣＡＰ软件提取模型参数所需的器件结构和测试系统，并针对华晶１．２ｕｍＣＭＯＳ工艺提取了一套ＢＳＩＭ１的模型参数；同时还讨论了这套模型参数用来设计１．２ｕｍＣＭＯＳ模拟电路的可行性。......
[期刊论文] 作者：徐大林,王方,李荫波,彭忠献,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性...
[期刊论文] 作者：徐大林,王方,李荫波,彭忠献,黄敬,
来源：半导体学报 年份：1990
提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD...
[期刊论文] 作者：徐大林,王方,李荫波,彭忠献,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
一、引言 在VLSI时代,传统的设计方法已无法满足众多品种电路的需要和设计时间短促的要求。因此,出现了一些新的设计方法:(1)可编程逻辑阵列(PLA)法,(2)全定制设计法,(3)半...
[会议论文] 作者：夏增浪,张东明,葛岩,李荫波,赵元富,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
圆片级可靠性（WLR）评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及时，已成为器件可靠性研究的热点。本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进行研究，分析了氧化膜失效理......
[期刊论文] 作者：高文钰,任迪远,陆妩,严荣良,赵元富,李荫波,
来源：核技术 年份：1993
揭示了辐照引起击穿电压变化的机制,提出了提高高压偏移栅PMOSFET击穿电压抗电离辐照的方法。对辐照后击穿电压退火特性进行了研究。...
[期刊论文] 作者：吾勤之,刘昶时,张玲珊,王方,李荫波,赵元富,
来源：微电子学 年份：1988
本文采用MOSFET的亚阈外推测量技术,研究MOSFET在低温(77°K),~(60)Coγ射线辐照下,辐照感生氧化层电荷和界面态。在77°K辐照下,n沟道MOSFET辐照感生氧化层电荷比室温更加明...
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