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[会议论文] 作者：杜军[1]游彪[1]盛雯婷[1]张维[1]鹿牧[1]翟宏如[1]胡安[1]G.Landry[2]X.H.Xiang[2]J.Q.Xiao[2],
来源：第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议 年份：2001
我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(t...
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