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[学位论文] 作者：杜记龙,
来源： 年份：2010
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电以及光电器件等诸多领域都表现出了优异的性能。开发ZnO材料在光电领域的广泛应用,需要获得性能良好的n型和p型ZnO薄膜,并制备出透明的ZnO同质......
[期刊论文] 作者：王培君,江美福,杜记龙,戴永丰,,
来源：物理学报 年份：2010
以高纯石墨做靶,CHF3和Ar气为源气体,采用射频反应磁控溅射法在不同流量比条件下制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕仪、拉曼光谱和红外光谱、摩擦磨...
[期刊论文] 作者：杜记龙,江美福,张树宇,王培君,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2011
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体（O2/O2＋NO=75%）、等离子体浸没离子注入（PIII）方法在不同的工艺条件下得到了不同N＋注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2...
[期刊论文] 作者：王培君,江美福,辛煜,杜记龙,戴永丰,,
来源：苏州大学学报(自然科学版) 年份：2010
以高纯石墨做靶、CHF3/Ar为源气体采用磁控溅射法在不同射频功率条件下制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜.利用原子力显微镜、纳米压痕、拉曼光谱、红外光谱和摩擦磨损测试仪对薄...
[期刊论文] 作者：朱丽,江美福,宁兆元,杜记龙,王培君,,
来源：物理学报 年份：2004
以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体,用反应磁控溅射法在不同射频功率下制备了氟化类金刚石碳(F-DLC)膜,并对其疏水性进行研究.双蒸水液滴与膜表面接触角的测...
[期刊论文] 作者：杜记龙,江美福,张树宇,王培君,辛煜,,
来源：苏州大学学报(自然科学版) 年份：2011
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO：Al薄膜,以NO和O2为源气体（V（O2）/V（O2＋NO）=75%）,采用等离子体浸没离子注入（PⅢ）方法对薄膜进行注入得到ZnO：Al：N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,......
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