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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电以及光电器件等诸多领域都表现出了优异的性能。开发ZnO材料在光电领域的广泛应用,需要获得性能良好的n型和p型ZnO薄膜,并制备出透明的ZnO同质p-n结。高质量的n型ZnO薄膜很容易实现,但由于ZnO材料在生长过程总存在诸多的本征施主缺陷(如氧空位Vo和锌间隙Zni等),对受主产生高度自补偿作用,故ZnO的p型掺杂相对于n型掺杂来说显得异常的困难。研究表明,单一元