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[学位论文] 作者：杨全魁,,
来源： 年份：2000
本工作围绕工作于中远红外波段的量子级联激光器这一主题，以对量 子级联激光器的理论研究为切人点，开展了对量子级联激光器材料、器件 及其表征和物理分析的研究...
[期刊论文] 作者：杨全魁,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
通过分析外延层与衬底之间存在错向角时的衍射圆锥，利用简明的衍射几何关系提出了一个测量外延层在衬底之间错向角的方法及相应的计算错向角的公式，同时提出了检验办法，设计了一......
[会议论文] 作者：杨全魁,李爱珍,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：杨全魁,李爱珍,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：李爱珍,陈建新,杨全魁,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：陈建新,李爱珍,杨全魁,任尧成,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：郑燕兰,李爱珍,林春,杨全魁,李存才,胡建,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李伟,赵智彪,郑燕兰,李存才,杨全魁,胡建,齐鸣,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖......
[期刊论文] 作者：刘训春,陈俊,王润梅,王惟林,李无瑕,李爱珍,陈建新,陈意桥,陈晓杰,杨全魁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3...
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