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[期刊论文] 作者：杨子淑,段苹,邓金祥,张晓霞,张杰,杨倩倩,
来源：真空 年份：2021
本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X射线衍射测试结果表明,在我们的掺杂浓度内,Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜没有出现其他晶相的衍射峰,随着Mg掺杂浓度变大,薄膜的......
[期刊论文] 作者：张晓霞,邓金祥,孔乐,李瑞东,杨子淑,张杰,
来源：真空 年份：2021
本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯 β-Ga2O3和不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga2O3薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响.X射线衍射(XRD)...
[期刊论文] 作者：张杰,邓金祥,徐智洋,孔乐,段苹,王晓蕾,孟军华,李瑞东,张晓霞,孙旭鹏,杨子淑,
来源：真空 年份：2022
氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料.本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了 β-Ga2O3/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质.与纯Si相比,p-SiNW......
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