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[学位论文] 作者：杨根庆,
来源： 年份：2007
目的:通过分子动力学模拟,考察PDE4B2和配体抑制剂的相互作用特征,探索新抑制剂设计方案。方法:Rolipram和PDE4B来自1R06.pdb。用InsightⅡ2005 LS转换文件并确认。用ICM-pro将配体与PDE4B2活性中心对接。用PRODRG2生成抑制剂参数文件。用GROMACS 96力场,Berend......
[期刊论文] 作者：杨根庆,,
来源：蚌埠党校学报 年份：2009
基层是不和谐因素的多发区,基层发生的信访事项是信访工作的难点。信访工作是党和政府听民意、察民情、解民困、解民急的桥梁和纽带,信访工作者要站在维护社会稳定大局高度,...
[期刊论文] 作者：王曦,杨根庆,
来源：上海半导体 年份：1994
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[期刊论文] 作者：赵俊,杨根庆,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
报道了用叠加能量Ｓｉ＾＋，Ｎ＾＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料，Ｓｉ＾＋，Ｎ＾＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠，样品退火后紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ），还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进......
[期刊论文] 作者：邹世昌,杨根庆,
来源：中国科学院院刊 年份：1992
本文摘要地介绍了离子束材料合成及表面改性技术及其在新材料与高新技术发展中所起的作用,对离子束技术的发展前沿及应用前景进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：赵俊,杨根庆,
来源：功能材料与器件学报 年份：1997
首次采用叠加能量离子注入技术制备Ｃ＾＋注入ＳｉＯ２薄膜样品，室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光谱对退火条件的依赖关系，研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探......
[期刊论文] 作者：王平,杨根庆,
来源：兵工自动化 年份：2004
小卫星电源控制系统容错设计采用人为故障注入法,使用仿真系统替代控制对象,制造硬件故障,进行硬件故障仿真.通过人为改变程序源代码或编译码注入故障,进行软件仿真.并以二次...
[期刊论文] 作者：杨根庆,廖飞,
来源：重庆医科大学学报 年份：2007
药靶是指有选择性的药物体内作用对象,主要是受体、酶、离子通道、核酸等.确定有效新药靶是药物优化设计和高通量筛选的关键,对新药研发有重要意义.当前,各种新技术与新策略...
[期刊论文] 作者：王羲,杨根庆,
来源：金属学报 年份：1992
本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体...
[期刊论文] 作者：赵红梅,杨根庆,
来源：曲靖师专学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：陈春辉,杨根庆,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1998
该文介绍了用场发射阵列作为电子源的纵向磁敏感传感器的工作原理，分析了这种磁敏传感器的灵敏度，并阐述了ＶＦＥＡＭＦＳ器件的制造和结果以及器件的基本工作参数和提高灵敏度的主要措施。......
[期刊论文] 作者：王平,杨根庆,
来源：计算机应用研究 年份：2004
指出了可重组软件的主要设计要求和设计方法 ,对可重组软件及其监控程序的主要功能进行了说明 ,并以星载计算机软件的可重组设计为例说明了设计过程...
[会议论文] 作者：林爱民,杨根庆,
来源：中国电子学会'98敏感技术学术年会 年份：1998
研究了双框架微机械陀螺的厚度检测、控制技术，在此基础上采用该实验室自对准的准LIGA工艺制备出陀螺结构，其活动区面积为1.0 x1.0mm，框架厚度4μm。经加电测试，己观测到低频驱动......
[会议论文] 作者：赵俊,杨根庆,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：2004
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[期刊论文] 作者：赵俊,杨根庆,
来源：科学通报 年份：1997
自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系...
[期刊论文] 作者：谢胜民,杨根庆,,
来源：航空计算技术 年份：2006
为解决卫星电子系统小型化的问题，本研究介绍了一种应用于卫星遥测遥控通道的FPGA设计和实现。与传统设计采用LSI、MSI电路比较，新的设计借助FPGA的大容量、低功耗、高速度等特...
[期刊论文] 作者：何龙科,杨根庆,
来源：无线通信技术 年份：2003
针对要求设计简化、资源有限的设备和系统 ,通过对直扩接收机基带迟早门跟踪环的性能分析 ,在扩频增益比较大时 ,提出了一种简化设计结构 ,用两个由扩频码的部分序列构成的相...
[期刊论文] 作者：潘波,杨根庆,刘勇,
来源：光学精密工程 年份：2008
为了实现星点质心定位算法的门限取值最优化，对影响最优门限取值的各种因素如星图的信噪比，光斑的离散采样等进行了研究。通过理论计算建立了取得最优质心定位精度情况下的门限......
[期刊论文] 作者：沈鸿烈,杨根庆,
来源：半导体学报 年份：1990
研究了在200℃热靶条件下经Si~+单注入和S~++P~+双注入的半绝缘InP常规热退火和快速热退火后的电学特性。热退火后,双注入样品中的电学性能优于单注入样品。采用快速热退火后...
[期刊论文] 作者：杨根庆,吕迎兰,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1995
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