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[会议论文] 作者：杨锡震;潘维;喀蔚波;,
来源：全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 年份：1985
深能级的存在是引起ZnSe中自补偿效应的主要原因。深能级还可引起非辐射复合或长波光辐射，有损于材料的兰色发光。该文主要介绍了用国产末掺杂的ZnSe进行了光电容测量情况。样...
[期刊论文] 作者：杨锡震,潘维,喀蔚波,刘玉梁,范希武,
来源：发光学报 年份：1986
对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。hv在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的...
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