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[会议论文] 作者：江兴川,林信南,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会 年份：2014
为优化IGBT内部载流子分布,改善器件开通导通压降与关断损耗的制约,本文介绍了2005-2013年间ISPSD会议发表的具有代表性的IGBT表面工程新结构,特别是在目前国内IGBT相关背面、薄片工艺和设备配套和购买困难,以及受到国外相关技术专利限制的条件下,提高同业者对I......
[会议论文] 作者：刘美华,孟航,林信南,
来源：第十三届全国电技术节能学术年会 年份：2015
目前,横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)己成为功率集成电路(PIC)领域最有潜力的器件之一。然而,硅材料功率器件的特性己逐渐达到物理极限。本论文中,我们提出一种绝缘槽势...
[期刊论文] 作者：李志贵,江兴川,林信南,
来源：变频技术应用 年份：2013
绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。本文提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体......
[会议论文] 作者：刘美华,江兴川,林信南,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
针对传统LIGBT存在导通电压较高,导通电阻较大等问题,本文提出了一种新型的载流子储存槽栅横向IGBT(Carrier-Storage Trench-gate Lateral IGBT,CS-TLIGBT)结构.新器件采用槽...
[期刊论文] 作者：李博,牛旭东,宋岩,何进,林信南,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA—BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明：工业标准模型BSIM4...
[会议论文] 作者：江兴川;吴佳珍;李志贵;林信南;,
来源：第十二届全国电技术节能学术年会 年份：2014
本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII的区域可以加速器件关断,...
[会议论文] 作者：孟航,李冰华,刘美华,江兴川,林信南,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会 年份：2014
这篇文章提出一种全新的反向导通二极管效应逆导型绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT),利用反向导通二极管处于反偏时候的隧道效应来实现器件反向导通,同时还完全消除了普通RC-IGBT的...
Continuous surface potential versus voltage equation of intrinsic surrounding-gate MOSFETs and analy
[期刊论文] 作者：何进,郑睿,张立宁,张健,林信南,陈文新,,
来源：半导体学报 年份：2010
A continuous surface potential versus voltage equation is proposed and then its solution is further discussed for a long channel intrinsic surrounding-gate(SRG)...
[期刊论文] 作者：马晨月,张辰飞,王昊,何进,林信南,Mansun Chan,,
来源：半导体学报 年份：2010
The linear cofactor difference operator(LCDO) method,a direct parameter extraction method for general diodes,is presented.With the developed LCDO method,the ext...
[期刊论文] 作者：张留旗,韩佰祥,聂诚磊,薛炎,Gary Chaw,林信南,
来源：光电子技术 年份：2019
提出了一种新型的GOA(阵列基板栅极驱动)电路。此电路可以有效抑制GOA输出信号的震荡效应,提高有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)...
Clear correspondence between gated-diode R-G current and performance degradation of SOI n-MOSFETs af
[期刊论文] 作者：何进,马晨月,王昊,陈旭,张晨飞,林信南,张兴,,
来源：半导体学报 年份：2009
A clear correspondence between the gated-diode generation-recombination (R-G) current and the performance degradation of an SOI n-channel MOS transistor after F...
[会议论文] 作者：何进,张立宁,黄宇聪,吴佳珍,徐姣姣,周致赜,林信南,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模......
[会议论文] 作者：何进[1]张立宁[2]黄宇聪[3]吴佳珍[3]徐姣姣[3]周致赜[3]林信南[3],
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方...
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