搜索筛选:
搜索耗时2.3268秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：林均铭,
来源： 年份：2008
ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其室温常压稳定相的晶体结构为六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。作为一种本征n型的半导体材料,ZnO通过施主掺杂(如Al、Ga、Zr等),便可以获得较高的电子浓度,而在可见光区域仍......
相关搜索：
