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[会议论文] 作者：林德峰[1]DefengLin[2]XiaoliangWang[3]王晓亮[4]HonglingXiao[2]肖红领[1]王翠梅[1]CuimeiWang[2]康贺[1]HeKang[2]LijuanJiang[2]姜丽娟[1]ChunFeng[2]冯春[1]HaiboYin[2]殷海波[1]HongChen[2]陈竑[1]JianpingLi[2]李建平[1]刘宏新[1]HongxinLiu[2,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和...
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