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[期刊论文] 作者：林有亲,毕常青,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
近年来,在高阻外延时,发现一种所谓“自隔离”的现象,即用自产的纯SiCl_4,不掺杂或轻微掺杂时,外延之后,测量两埋层岛之间有隔离现象。用热探针检查,N~+区上的外延层为N型,P...
[期刊论文] 作者：冯金初,林有亲,
来源：半导体技术 年份：1987
介绍CMOS门阵列的基本结构和设计方法.设计了门阵列的四管和六管两种阵列单元以及输入/输出的I/O单元结构.说明提高CMOS门阵列IC速度的设计和布线,介绍CMOS门陈列的布线方法,...
[期刊论文] 作者：林有亲,梁克运,
来源：半导体技术 年份：1981
一、引言 MOS动态随机存贮器,是根据存贮单元中存贮管的栅电极是否存贮足够的电荷,存贮管的栅电位处于“1”电平或“0”电平,作为存“1”或存“0”的数据,由于pn结的空间电...
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