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[报纸论文] 作者：林朝通,,
来源： 年份：2004
福建省南平地区农村电网建设项目于1998年拉开序幕，历时10年，投资计划资金12.04亿元。农村电网建设项目包括35千伏、110千伏输变电工程项目，10千伏及以下配电网工程项目；农村电网......
[期刊论文] 作者：林朝通,
来源：现代审计 年份：2006
近几年来，随着电力工业的发展和输变电工程项目投资的增加，如何推进输变电工程项目全程跟踪审计，已成为电业企业内部审计机构面临的重要课题。为此，本文拟就这个问题谈些看法。笔......
[学位论文] 作者：林朝通,
来源：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 年份：2009
近年来。由于GaN基半导体材料与器件具有广阔的市场前景，因此吸引了人们浓厚的研究兴趣。伴随着半导体薄膜器件性能需求的日益提高以及新型纳米器件的不断出现，大家对GaN材料的......
[报纸论文] 作者：林朝通 福建省电力有限公司南平电业局,
来源：中国审计报 年份：2011
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[会议论文] 作者：陈兰兰,叶志镇,赵炳辉,马德伟,林朝通,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
研究了Ar/O比对溅射沉积ZnCdO(x=0.1、0.2)薄膜带隙的影响.本实验所得的ZnCdO薄膜全是(002)择优取向的,没有CdO分相发生.其它条件不变,随着Ar/O的增加,薄膜带隙减小,当Ar/O=1:1时,薄膜带隙达到最小值.......
[期刊论文] 作者：于广辉,雷本亮,孟胜,王新中,林朝通,齐鸣,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插...
[期刊论文] 作者：曹明霞,于广辉,王新中,林朝通,卢海峰,巩航,,
来源：半导体技术 年份：2009
研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融...
[期刊论文] 作者：于广辉，雷本亮，孟胜，王新中，林朝通，齐鸣，YuGuanghui，LeiBenliang，MengSheng，WangXinzhong，LinChaotong，QiMing,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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