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[期刊论文] 作者：张文伟,林海安,,
来源：广东化工 年份：2011
介绍在当前市场对柴油需求不断增长的前提下,通过对炼油厂常减压装置侧线产品的分析,提出常减压蒸馏装置流程的优化改造方案,将常四线油通过减二线中段回流并入减压塔的实施,...
[期刊论文] 作者：林海安,天冲若,
来源：电子器件 年份：1994
对旋徐法制备的ＳｎＯ＿２薄膜进行了ＸＲＤ、ＡＥＳ研究。结果表明，４５０℃处理样品已具有短程序，而６００℃样品则具有明显的金红石结构特征，ＳｎＯ＿２具有较高的表面氧吸附，高温处理会使氧吸附量降低。表面附近晶格氧含量......
[期刊论文] 作者：林海安,王林,
来源：大自然探索 年份：1993
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[期刊论文] 作者：林海安,张家慰,
来源：应用科学学报 年份：1992
系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：电子科学学刊 年份：1993
本文报道了一种ＳｎＯ２气敏传感器感机理的新模型。ＳｎＯ２晶粒表面势垒由３个过程控制：（１）氧吸附（作电子受主）和脱附，（２）还原性气体附（作电子施主）和脱附，（３）表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现......
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
建立了薄膜气敏元件响应与膜厚的关系。指出随着膜厚减小，元件响应呈上升，下降，再上升的规律，且较好地解释了实验发现的响应与膜厚的关系对还原性气体和类的依赖。...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：微电子学 年份：1992
本文研究了半导体技术中绝缘介质膜的发展趋势和LB绝缘膜/半导体结构的最新进展。在有机/无机兼容的前提下,阐述了LB绝缘膜在微电子领域中最有吸引力的方向。...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：电子科学学刊 年份：1995
本文用ＳｎＯ２气敏元件构造了三元阵列，使用ｋ－最近邻和加权ｋ－最近邻两种分类器，结果表明，前一分类器对乙醇和汽油的识别率分别为４０％和９０％，后一类分类器则分别为７０％和９０％，模式识别是改善气敏元件选择性的有......
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：电子元件与材料 年份：1994
采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法制备了ＳｎＯ２酒敏元件，ＸＲＤ和ＡＥＳ谱表明热处理后己酸亚锡已转化为ＳｎＯ２。此外还证实ＳｎＯ２元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为：灵敏度＞８，选择性＞６，响应时间＜５ｓ，恢......
[期刊论文] 作者：曾伟丽,林海安,
来源：实用医学杂志 年份：2006
患者女，42岁，因反复头痛、抽搐、右下肢乏力，行走时颤抖，右1—5趾僵直而活动受限。经头颅MR平扫＋增强结果提示：平扫见左顶大脑镰旁椭圆形异常信号灶。边缘清楚锐利，大小约3，5cm×......
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：真空科学与技术 年份：1993
根据化学平衡原理和反应动力学理论,建立了SnO_2表面势垒的温度分区模型。描述了温度变化后,氧在SnO_2表面吸附状态的转化,得到了与实验相吻合的表面势垒与温度、氧分压的关...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：电子显微学报 年份：1994
分别用ＴＥＭ、ＳＥＭ分析了ＭＯＤ－ＳｎＯ＿２粉末和薄膜，结果表明，根据热处理条件的不同，晶粒尺寸在几十纳米到微米之间；如果控制旋涂薄膜的厚度小于１００ｎｍ，并进行陡然升温热处理，则簿膜光滑无裂纹；即使得到的ＳｎＯ＿２膜存在微......
[期刊论文] 作者：吴冲若,林海安,
来源：微细加工技术 年份：1995
分析化学、传感器技术和微机械加工相结合，产生了微型全化学分析系统，它是全新概念的化学传感器，具有较好的选择性并能实现准实时监控。色谱分离是系统中的关键技术，毛细区带电泳......
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文采用金属有机物热分解(MOD)法制备SnO_2薄膜,探索了锑掺杂对薄膜电阻的调制,通过I—V特性发现Al/SnO_2系统存在零电压电位,最后还测试了薄膜的气敏特性。...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文回顾了气敏传感器的发展史,针对限制气敏传感器发展的诸因素,提出了解决问题的思路;指出了集成化的关键在于敏感膜的设计和制备,最后讨论了几种有前途的集成气敏传感器单...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：薄膜科学与技术 年份：1992
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[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
采用单层(～0.5nm)或多层LB聚酰亚胺超薄膜,在掺杂浓度为1×10~(15)cm~(-3)的p—Si(100)衬底上制作了超薄MIS结构。通过掩模蒸铝形成顶部电极。I—V和C—V特性表明,样品具...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(～0.5nm)MIS结构的界面态密度为10~(12)～10~(13)cm~(-2)eV~(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10~(12)～10~(13)和10~...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：传感器技术 年份：1994
建立了SnO_2表面势垒与表面氧化—还原过程的定量关系,其中考虑了氧的O~-形式吸附和还原性气体的电离吸附。其结果表明,还原性气体的电离是SnO_2表面化学物理过程的关键步骤...
[期刊论文] 作者：林海安,吴冲若,
来源：材料研究学报 年份：1994
本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ－Ｖ特性研究结果。６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０＾１＾１ｃｍ＾－＾２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ，对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５－４Ｖ间还出现了另......
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