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[学位论文] 作者：林若兵,
来源：西安电子科技大学 年份：2008
随着AlGaN/GaN HEMT朝着高频、大功率的方向不断发展,采用空气桥实现独立源端或漏端的互连,具有低寄生电容、方便制备、高可靠性等优点,越来越体现出其重要性。本文首先从空...
[期刊论文] 作者：魏巍,林若兵,冯倩,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2008
在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着漏偏压的升高而显著下降;在高漏偏压下,场板...
[期刊论文] 作者：林若兵,魏巍,冯倩,王冲,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2008
空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位面积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的...
[期刊论文] 作者：林若兵,王欣娟,冯倩,王冲,张进城,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2008
在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以...
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