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[期刊论文] 作者：林有亲,梁克运,
来源：半导体技术 年份：1981
一、引言 MOS动态随机存贮器,是根据存贮单元中存贮管的栅电极是否存贮足够的电荷,存贮管的栅电位处于“1”电平或“0”电平,作为存“1”或存“0”的数据,由于pn结的空间电...
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