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[学位论文] 作者：梅丁蕾,,
来源：电子科技大学 年份：2005
当前超大规模集成电路的特征尺寸已降至90nm 以下, 在未来1015 年之内常规MOSFET 器件尺寸就有可能达到其物理极限, 使得自微电子技术发展至今始终以缩小器件沟道尺寸为主要...
[期刊论文] 作者：赵爱梅,丁蕾,
来源：中国继续医学教育 年份：2020
目的对三位一体无缝隙护理在妊娠期高血压中的应用进行观察和分析。方法选择了2018年6月—2018年12月在本院进行了妊娠期高血压护理的60例患者进行研究,对所有患者均采取了三...
[期刊论文] 作者：张玉梅 丁蕾,
来源：中国保健营养·中旬刊 年份：2014
【中图分类号】R614 【文献标识码】A 【文章编号】1004-7484（2014）02-0796-01 神经损伤后果极为严重，对其治疗应把握好时间，尽早治疗，部分功能恢复的可能性便会加大，且临床效果也会越显著[1]。其治疗措施主要为脱水治疗，必要时可采用镇痛药或者是高压氧进行治疗，据......
[期刊论文] 作者：杨云,权继梅,丁蕾,
来源：气象科技 年份：2012
2010年中国气象局建立了气象行业光合有效辐射和紫外辐射测量标准。标准建成后,标准器的各项技术性能指标必须经过实际测试来验证。通过对光谱辐射计的波长精密度、准确度、...
[期刊论文] 作者：杨云, 权继梅, 丁蕾, 边泽强,,
来源：应用气象学报 年份：2015
太阳辐射测量标准仅采取定期参加国际比对的溯源方法不能完全满足质量保证的要求。只有联合国际比对和期间核查的控制方法,才能确保测量标准的测量不确定度持续控制在误差允...
[期刊论文] 作者：权继梅,丁蕾,郑向东,杨云,王冬,
来源：气象 年份：2010
分析一次在北京上甸子区域大气本底站的总辐射表的两种校准方法的比较。结果表明：以工作级标准的CM22总辐射表所确定的各类总辐射表灵敏度系数接近以H-F腔体直接辐射表的校准...
[期刊论文] 作者：唐林,杨谟华,于奇,宁宁,梅丁蕾,
来源：微电子学 年份：2005
分析了影响CMOS模拟开关性能的主要因素,针对10位100 MHz采样频率A/D转换器对输入信号动态特性的要求,设计了一种适合在3.3 V电源电压下工作的CMOS全差分自举开关采样电路.基...
[期刊论文] 作者：李竞春,谭静,梅丁蕾,张静,徐婉静,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
针对SI／SiGe p-MOSFET的虚拟SiGe衬底厚度较大（大于1μm）的问题，采用低温Si技术在Si缓冲层和虚拟SiGe衬底之间MBE生长低温-Si层。SiGe层应力通过低温-Si层释放，达到应变弛豫。XRD...
[期刊论文] 作者：李竞春,谭静,梅丁蕾,张静,徐婉静,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：程兴宏,杨云,宋建洋,权继梅,丁蕾,
来源：气象科技 年份：2013
准确的太阳总辐射测量对于校准卫星观测数据、验证辐射传输模式以及研究气候变化、定量评估太阳能资源是非常重要的。由于大部分总日射表采用热电堆原理制成,环境热噪声不可...
[期刊论文] 作者：杨云,权继梅,丁蕾,边泽强,程兴宏,,
来源：气象科技 年份：2012
为了保证观测数据的准确性，必须建立全面的辐射表性能指标检测体系，对辐射仪器的性能指标进行测试。依据世界气象组织（WMO）和ISO9060的相关规定，在总日射表检定规程的基础上，试验和......
[期刊论文] 作者：于奇,王颖,熊平,孙杰,梅丁蕾,杨谟华,
来源：半导体光电 年份：2004
基于半导体图像传感器CCD的物理图像和相应的基本特性微分方程组,经过离散和线性化处理,并引用解三对角矩阵方程的递归算法,实现了其解析模型求解.据此及其相关的编程软件,对...
[期刊论文] 作者：宁宁, 于奇, 王向展, 任雪刚, 李竞春, 唐林, 梅丁蕾,
来源：微电子学 年份：2005
基于预放大-锁存理论,提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑结构;阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法.采用典型的0.35μm/3.3 V硅CMOS...
[期刊论文] 作者：罗谦,杨谟华,杜江锋,梅丁蕾,王良臣,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了一种CaN薄膜电学参量测试新方法．该方法基于双肖特基结二极管结构，利用非对称的电极图形获取整流特性，从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺，可方便地导出电子电导迁移率和肖......
[期刊论文] 作者：于奇,杨谟华,程宇,唐林,宁宁,梅丁蕾,兰家隆,
来源：电子学报 年份：2004
基于双采样和电荷守恒原理,并为实现从s到z域准确的双线性变换,本文提出了一种新颖的开关电容基本组态,进而组构了五阶椭圆低通滤波器.该滤波器应用典型0.34μm/3.3V硅CMOS工...
[期刊论文] 作者：梅丁蕾,杨谟华,李竞春,于奇,张静,徐婉静,谭开洲,
来源：半导体学报 年份：2004
在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术．通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层，提高了SiGe层的弛豫度．当Ge主分为20％时，利用低温Si技术生长的弛豫Si1-xGex层...
[期刊论文] 作者：宁宁,于奇,王向展,任雪刚,李竞春,唐林,梅丁蕾,杨谟华,
来源：微电子学 年份：2005
基于预放大-锁存理论,提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑 结构;阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法。采用典型的0.35μm／3.3 V 硅CM...
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