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[期刊论文] 作者：李桂英,武壮文,
来源：稀有金属 年份：1993
GaP LPE 材料是制造 LED 的主要基础材料。GaP LED 是一种效率高、寿命长的发光显示器件,它广泛应用于国民经济的各个领域中。GaP LPE 材料的制备工艺研究具有重要社会...
[会议论文] 作者：李桂英,武壮文,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李桂英,武壮文,苏小平,
来源：稀有金属 年份：1993
GaP LPE 材料是制造 LED 的主要基础材料。GaP LED 是一种效率高、寿命长的发光显示器件,它广泛应用于国民经济的各个领域中。GaP LPE 材料的制备工艺研究具有重要社会意义...
[会议论文] 作者：于洪国, 武壮文, 王继荣, 张海涛,,
来源： 年份：2004
讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采...
[期刊论文] 作者：王继荣,武壮文,于洪国,张海涛,
来源：稀有金属 年份：2004
HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大...
[期刊论文] 作者：武壮文,于洪国,王继荣,张海涛,,
来源：广播电视信息 年份：2006
本文讨论了如何在光电基础材料（水平砷化镓单晶）生长过程中进行缺陷（位错密度）控制，通过控制熔区的长度，使单晶的生长过程更趋稳定，和控制生长界面的形状以及界面处的沮度梯度，减少了......
[会议论文] 作者：于洪国,武壮文,尤宏涛,马明礼,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
我们成功地制备出了直径为2.5英寸水平砷化镓单晶,其多种重要参数均符合要求.在实验中,我们采用了自行研制的新型水平单晶炉,这种水平炉具有一个特殊的加热装置,通过此加热装...
[会议论文] 作者：武壮文,国瑞电子材料有限责任公司(河北廊坊),
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
本文阐述了光电子材料掺硅水平砷化镓单晶的产业化过程,并就设备、工艺上的一些问题进行了讨论.获得了一些有益的结果.本文提出了评价产业化结果的四个量化指标,供大家参考....
[期刊论文] 作者：武壮文,郑安生,于洪国,赵静敏,袁泽海,张海涛,,
来源：半导体技术 年份：2007
用水平布里奇曼法（HB法）研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量（包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10^-5,Si的质量分数...
[期刊论文] 作者：戴国瑞,姜秀英,武壮文,励映群,刘玉梅,路鹏,
来源：吉林大学学报：理学版 年份：1983
本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其...
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