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[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2011
采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
用瞬时蒸发法在加热到453K的玻璃基体上沉积出了厚度在40-160nm的多晶Bi纳米薄膜。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微术（FE-SEM）分析了薄膜的相结构和表面形貌。在300-350K研...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2010
以单质Bi,Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备了Bi2Te3纳米粉末。通过XRD,EDS,TEM和SAED分析方法对Bi2Te3粉末的物相结构、成分和形貌进行了表征。Bi2Te3纳米粉...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,
来源：电源技术 年份：2011
采用瞬间蒸发技术在温度为473K的玻璃基体上沉积了厚度为800nm的Ag掺杂Bi2（Te0.955Se0.05）3热电薄膜。利用X射线衍射（XRD）技术对薄膜的物相结构进行表征，采用表面粗糙度测量仪测定...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：电源技术 年份：2011
采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜。利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：稀有金属 年份：2011
以单质B i,Sb和Te粉末为原材料,通过真空电弧等离子体蒸发法合成了(B ixSb1-x)2Te3热电粉末材料。采用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS),场发射扫描电子显微术(FE-SEM),透射电...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2011
采用瞬间蒸发技术沉积了厚度为800 nm的P型Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜,并在373 K-573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：热加工工艺 年份：2011
以单质Sb、Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备Sb2Te3纳米粉末,当Sb∶Te的原子比为5.5∶4.5时,合成了Sb2Te3纳米粉末。通过XRD、SEM和EDS分析法对Sb2Te3粉末的物...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,,
来源：热加工工艺 年份：2011
以单质Sb,Te粉末为原材料,采用真空电弧等离子体蒸发法对原材料进行加热、蒸发、气化并在收集体表面进行化学反应形成粉末,从而合成Sb2Te3热电粉末材料。研究了电弧电流和氩...
[会议论文] 作者：段兴凯;江跃珍;,
来源：2010中国材料研讨会 年份：2010
以单质Sb, Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备Sb2Te3纳米粉末,当Sb：Te的原子比为5.5比4.5时，合成了Sb2Te3纳米粉末。通过XRD, SEM和EDS分析方法对Sb2Te3粉末...
[会议论文] 作者：段兴凯;江跃珍;,
来源：第七届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2010
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[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,宗崇文,侯文龙,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2011
采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K～573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,胡孔刚,丁时锋,满达虎,,
来源：稀有金属 年份：2011
采用闪蒸法在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜,并在373～573 K进行1 h的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜...
[期刊论文] 作者：段兴凯,江跃珍,胡孔刚,况菁,仪登亮,金海霞,,
来源：功能材料 年份：2017
采用钽管封装熔炼和热压烧结技术制备了Ca2Si1-xSnx（x=0,0.02,0.04,0.06）热电材料。利用X射线衍射（XRD）对样品的物相结构进行了表征,XRD结果表明,Ca2Si1-xSnx块体材料的XRD图谱与...
[期刊论文] 作者：段兴凯, 江跃珍, 胡孔刚, 况菁, 仪登亮, 金海霞,,
来源：功能材料 年份：2017
采用钽管封装熔炼和热压烧结技术制备了Ca2Si1-xSnx（x=0,0.02,0.04,0.06）热电材料。利用X射线衍射（XRD）对样品的物相结构进行了表征,XRD结果表明,Ca2Si1-xSnx块体材料的XRD图谱与...
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