膜厚对N型Bi2Te2.85Se0.15薄膜热电性能的影响

来源 :材料科学与工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：peterwei2009

【摘要】

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采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）

【作者】

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段兴凯江跃珍

【机构】

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九江学院机械与材料工程学院新能源材料研究中心,九江学院电子工程学院

【出处】

：

材料科学与工程学报

【发表日期】

：

2011年2期

【关键词】

：

Bi2Te2.85Se0.15 薄膜厚度电阻率 SEEBECK系数瞬间蒸发法 Bi_2Te_2.85Se_0.15 thin film thickness

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采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和能量散射谱（EDS）分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。XRD分析结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3和Bi2Se3的标准衍射峰一致,沉积薄膜的最强衍射峰为（015）,退火后,薄膜的最强衍射峰是（006）。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测

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