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[会议论文] 作者：段春艳;沈辉;李明华;刘超;赖键钧;邓幼俊;艾斌;,
来源：中国可再生能源学会2011年学术年会 年份：2011
采用常压化学气相沉积（APCVD）的标准条件，在有图案的Si (100)衬底上外延生长了35 μm厚的 硅薄膜。衬底采用圆形阵列和条形阵列两种图案。外延生长硅薄膜后，在圆形阵列图案衬底上......
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