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[会议论文] 作者：李智囊,毛儒炎,冯建,陈洪波,李文,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3...
[期刊论文] 作者：谭开洲,石红,杨国渝,胡刚毅,蒲大勇,冯健,毛儒炎,
来源：微电子学 年份：2004
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9 V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80 V、电流通过能力大于3 A的LDMOS管.电路采用SOI介质隔离CMOS/L...
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