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[期刊论文] 作者：毛友德,,
来源：合肥工业大学学报(自然科学版) 年份：2004
近几年来,具有类金刚石特性的氢化非晶碳膜(a—C:H)受到了越来越多的重视。本文详细综述了它的制备、结构、特性及应用。...
[期刊论文] 作者：毛友德,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积ａ－Ｃ：Ｈ膜，通过测量Ａｌ／ａ－Ｃ：Ｈ／ＳｉＭＩＳ结构的高频Ｃ－Ｖ曲线讨论了ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ界面的电子特性，结果表明ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。......
[期刊论文] 作者：毛友德,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析....
[会议论文] 作者：毛友德,
来源：1986年中日电子敏感技术科学讨论会 年份：1986
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[期刊论文] 作者：毛友德,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.The high-frequency CV character...
[期刊论文] 作者：毛友德,
来源：合肥工业大学学报 年份：1983
本文叙述了氢化非晶硅薄膜在光敏和色敏传感器上的应用。讨论了非晶硅薄膜的制备和特性,以及非晶硅光敏和色敏传感器的结构和特性,也简述了非晶硅光敏和色敏传感器的某些可能...
[期刊论文] 作者：毛友德,夏冠群,
来源：半导体杂志 年份：2000
在建立的理论模型基础之上，定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响，指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素，ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响程度与ＥＬ２能给的缺陷密度......
[期刊论文] 作者：毛友德,凌松林,
来源：合肥工业大学学报(自然科学版) 年份：1986
氢化非晶碳膜具有硬度高、电绝缘、光学透明、化学性能稳定等优良特性,又称为“类金刚石”碳膜。本文报导由碳氢气体的辉光放电分解而制备的氢化非晶碳膜的特性及其在金属表...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：微细加工技术 年份：1993
本工作研究了在热丝(HF)CVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术,给出了一种通常作为热丝的钨丝的实用性预处理方法,并且研究了热丝温度分布对生长膜厚度的影响,发现膜厚分布与基片...
[期刊论文] 作者：刘声雷,毛友德,,
来源：腐蚀与防护 年份：1992
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[期刊论文] 作者：毛友德,杨国伟,,
来源：功能材料 年份：1992
本文用rfPCVD方法,以甲苯为碳源气体,在硅、锗、玻璃、金属等基片上制备出DLC膜,并且用Raman光谱和红外吸收谱研究了膜的结构,还研究了膜的机械、光学、电学性能。...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：表面技术 年份：1994
应用Raman光谱和SEM方法研究了在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中,生长膜中非金刚石相碳成分对金刚石晶粒晶形的影响。还讨论了生长条件如碳源浓度、衬底温度等对生长膜中非金...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：计算物理 年份：1992
利用计算机模拟了N(ε)∞ε~(-D)在测量实际分形体中,在不同条件下,D的变化规律,并且讨论了所得到的结论在实际应用中的意义。...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：光子学报 年份：1995
本文研究了热丝ＣＶＤ方法生长金刚石薄过程，衬底表面的损伤处理对金刚石薄膜光学性能的影响，以及膜中非本征杂质吸收对其红光学特性的影响。...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：量子电子学 年份：1994
本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题，研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和......
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：红外技术 年份：1993
研究了热丝CVD金刚石薄膜的红外反射吸收谱,讨论了金刚石薄膜中H、N等杂质和晶粒晶型、晶粒尺度对膜红外透过率的影响。...
[期刊论文] 作者：毛友德,刘声雷,
来源：激光技术 年份：1991
本文采用 rfPCVD 方法,以甲苯为工作气体,制备出 DLC 膜,研究了它的光学性能,以及作为激光窗口材料 Ge 片的减反射膜的应用。...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：微细加工技术 年份：1993
本工作采用HFCVD方法在Si、Mo衬底上生长出不同晶粒形貌的多晶金刚石薄膜,研究了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响。结果表明,在HFCVD方法...
[期刊论文] 作者：杨国伟,毛友德,
来源：人工晶体学报 年份：1994
本文提出了在低压气相生长金刚石薄膜系统中，Ｓｉ衬底表面微蚀坑对金刚石成核的阻止效应，较好地解释了实验上发现的原子氢刻蚀Ｓｉ衬底产生的微缺陷对金刚石成核破坏作用的机理。......
[期刊论文] 作者：毛友德,刘声雷,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
氢化非晶硅具有半绝缘、富含氢和电中性等特点。本文概述了非晶硅的表面钝化工艺及其钝化效果,对其钝化机理也进行了讨论....
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