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[期刊论文] 作者：毛晋昌,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光...
[会议论文] 作者：傅济时,毛晋昌,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：毛晋昌,崔玉芹,
来源：实验技术与管理 年份：2005
北京大学电子实验中心几年来结合理科学校自身特点进行的实验室建设和实验教学改革已经初见成效.为了把北京大学电子实验中心建设成为世界一流的电子信息科学基础实验教学中...
[期刊论文] 作者：祝朝辉,毛晋昌,,
来源：电子技术 年份：2001
文章针对电力部门对电网运行质量进行监测的要求,论述了利用数字信号处理芯片(DSP)进行便携式电力谐波检测仪的研制.本系统达到了国家标准对谐波测量仪器的要求....
[期刊论文] 作者：陈开茅,毛晋昌,
来源：半导体学报 年份：1983
在115.2K到162.3K的温度范围内,用电容瞬态技术研究了P-N结电场对硅中金施主中心空穴热发射率的影响.测量结果表明电场对热发射率有很强的增强作用,这种作用强烈地依赖于温度...
[期刊论文] 作者：崔玉芹,毛晋昌,张聂彦,
来源：实验技术与管理 年份：2005
电子信息科学技术的发展为实验室建设和管理水平的提高提供了条件,也促使我们努力以新的思路建设和管理实验室.把握实验技术发展的动向才能保证实验室建设和实验教学内容的先...
[期刊论文] 作者：晏懋洵,毛晋昌,陈开茅,
来源：半导体技术 年份：1982
本文叔述了一种简单方便的用于测量MOS界面态密度的电容瞬态技术。给出了利用该技术对N型硅-二氧化硅界面态总密度和界面态分布的测量结果。该技术适用于工厂中作一般工艺监...
[期刊论文] 作者：吴恩,吴书祥,毛晋昌,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1986
用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的方向余弦.据此对旋转花样图进行了理论计算,...
[期刊论文] 作者：傅济时,吴恩,毛晋昌,朱美栋,廖显伯,
来源：半导体学报 年份：1993
本文首次报道p~+-i-n~+a-Si:H太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流、辐照光强以及光电压检测磁共振(PDMR)的关系。结果表...
[期刊论文] 作者：陈开茅, 毛晋昌, 晏懋洵, 吴恩, 曾奇勇,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2004
我们用电容瞬态技术研究了P型硅中金的空穴俘获截面与温度的关系。实验测得金的受主能级的空穴俘获截面对温度有强烈的依赖关系,即在150—200 K的温度范围内,σp-=（3.7±0.7）×...
[期刊论文] 作者：吴书祥,晏懋洵,许惠英,毛晋昌,吴恩,
来源：中国科学：数学英文版 年份：1988
A new EPR center having C2v symmetry and S=1, labeled as Si-PK3, has been observed for the first time in neutron-irradiated FZ-silicon. The spectra start to app...
[期刊论文] 作者：吴书祥,晏懋洵,许惠英,毛晋昌,吴恩,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1987
在中子辐照区熔硅中,观测到一个具有C_(2v)对称性、有效自旋为1的新的顺磁性缺陷,按惯例称为Si-PK3,其g和D的主值为g_1=2.0048,g_2=2.0118,g_3=2.0085;D_3=35.9×10~(-4)cm~(-1),D_2=-17.1×10~(-4)cm~(-1),D_3=-18.8×10~(-4)cm~(-1).可能的微观结构是沿〈110......
[期刊论文] 作者：毛晋昌,傅济时,吴恩,秦国刚,王永鸿,马碧春,
来源：半导体学报 年份：1991
本文报道GaAs∶Cr中Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr~(4+)的EPR信号,但对...
[期刊论文] 作者：张丽珠,毛晋昌,段家怟,张伯蕊,秦国刚,朱培新,
来源：光谱学与光谱分析 年份：1993
本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar~+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm~2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照...
[期刊论文] 作者：张丽珠,毛晋昌,张伯蕊,段家忯,秦国刚,朱悟新,
来源：半导体学报 年份：1992
以氢氟酸阳极氧化单晶硅制备了多孔硅.在室温下测量了多孔硅在大气中存放2小时,26小时,7天和30天后的红外吸收与光致发光谱.观察到与氧有关的局域振动红外吸收增强的速率远大...
[期刊论文] 作者：毛晋昌,付济时,吴恩,晏懋洵,秦国刚,廖显伯,孔光临,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The detection of magnetic resonance via the photovoltage (PDMR) is a sensitive method for investigating recombination and light-induced meta-stable defects in a...
[期刊论文] 作者：陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞,
来源：半导体学报 年份：1994
本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布，结果表明：界面态的电子俘获......
[期刊论文] 作者：贾勇强,傅济时,毛晋昌,吴恩,张伯蕊,张丽珠,秦国刚,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范...
[期刊论文] 作者：张丽珠,段家忯,林军,张伯蕊,毛晋昌,付济时,秦国刚,许振华,
来源：半导体学报 年份：1994
对于刚阳极氧化完的，阳极氧化后紧接着在Ｈ２Ｏ２中光照处理的及长期存放（１０个月）的三种多孔硅样品进行了持续激光照射，不断监视它们的光致发光（ＰＬ）与富利利埃变换红外（ＦＴＩＲ）吸收光谱，并在最后对它们作......
[期刊论文] 作者：傅济时,朱美栋,毛晋昌,吴恩,秦国刚,魏根栓,张钰华,王永鸿,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道ｒ辐照ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果。实验结果表明ｒ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３×１０＾－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来......
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