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[学位论文] 作者：毛焜,,
来源：电子科技大学 年份：2015
700 V高压BCD工艺是近几年国内外晶圆生产厂重点开发的工艺平台,其广泛应用于模拟IC(集成电路)中的电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。相比于传统设计方案所采...
[期刊论文] 作者：王银, 聂海, 毛焜,,
来源：成都信息工程大学学报 年份：2019
如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电速度快的特点,且工艺简单,成本更低,在需要高...
[期刊论文] 作者：米磊,毛焜,聂海,,
来源：成都信息工程大学学报 年份：2017
为产生一个低温度系数的基准电源,设计一种无运算放大器的带隙基准电路。通过对晶体管基射级电压进行高阶温度补偿的方式,产生具有更低温度系数的基准电压。其中二阶温度补偿...
[期刊论文] 作者：冉波, 聂海, 毛焜,,
来源：无线互联科技 年份：2018
文章基于通过控制mos管的栅极电压产生随着温度变化的补偿电流原理,采用0.5μm BCD30 V工艺,设计一款二阶温度补偿带隙基准电压源,仿真结果表明,电源电压等于7 V时,电路能够...
[期刊论文] 作者：毛焜,乔明,张波,李肇基,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
A dual conduction paths segmented anode lateral insulated-gate bipolar transistor(DSA-LIGBT) which uses triple reduced surface field(RESURF) technology is propo...
[期刊论文] 作者：毛焜, 乔明, 张波, 李肇基,
来源：null 年份：2014
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[会议论文] 作者：张彦昭;乔明;毛焜;张波;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
设计了一种基于BCD工艺的高压PMOS器件(LDMOS)，本文通过理论分析和软件仿真，对传统PMOS器件的相关参数，包括漂移区浓度、场板长度等进行优化设计，获得了满足高功率BCD工艺电压电...
[会议论文] 作者：周贤达,方健,毛焜,刘哲,张弦,张正元,李肇基,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出具有环形阴极的横向高压SOI器件新结构，该结构采用环形阴极，利用电场的曲率效应以提高耐压。作为应用实例，在3μm埋氧20μm顶硅上设计出耐压大于600V SOI LDMOS，与常规结构相比，新结构耐压有6.74％的提升，而导通电阻仅增加2.14％。该结构与常规CD工艺完全兼容，不增加工......
[会议论文] 作者：张弦,方健,周贤达,刘伦友,毛焜,刘哲,张波,张正元,冯志诚,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
针对70V BCD工艺中核心器件的特殊性，采用Matlab进行了器件参数提取。在Tsuprem4和Medici的仿真基础之上，以HVPMOS为例，阐述了高压器件的参数提取过程，并将所得参数带入电路...
[会议论文] 作者：毛焜,方健,周贤达,刘伦友,张弦,刘哲,张波,张正元,冯志诚,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能...
[会议论文] 作者：刘哲,方健,周贤达,刘伦友,毛焜,张弦,张正元,冯志诚,张波,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电流进入CMOS电路,CMOS电路中出现闩锁效应时的VDMOS漏端电压从-1V提高到-4V,已经应用于一款功率集成电路中,经过初步验证,具有一定应......
[会议论文] 作者：毛焜,方健,周贤达,刘伦友,张弦,刘哲,张正元,冯志诚,张波,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能更加稳定，兼容性更好的特点，适合于高压大电流电路应用。......
[会议论文] 作者：张弦,方健,周贤达,刘伦友,毛焜,刘哲,张正元,冯志诚,张波,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
针对70V BCD工艺中核心器件的特殊性，采用Matlab进行了器件参数提取。在Tsuprem4和Medici的仿真基础之上，以HVPMOS为例，阐述了高压器件的参数提取过程，并将所得参数带入电路进行仿真比较,，得到了很好验证。在此基础之上，分析了参数提取过程中导致λ和rd有较大误差的原......
[会议论文] 作者：王凯,方健,毛焜,张弦,刘哲,尹德扬,张正元,冯志诚,张波,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文提出了一种新的双多晶工艺。通过分析VDMOS导通电阻和击穿电压，找出影响器件静态特性的关键参数：栅长。针对该参量的模拟，寻找一种集成于9μm外延厚度BCD工艺的优化设计方法。得到了耐压90V，比导通电阻为194.4mΩ·cm2的优化器件，并将该模型应用到自主研发的70V ......
[会议论文] 作者：王凯[1]方健[1]毛焜[1]张弦[1]刘哲[1]尹德扬[1]张正元[2]冯志诚[2]张波[1],
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文提出了一种新的双多晶工艺。通过分析VDMOS导通电阻和击穿电压，找出影响器件静态特性的关键参数：栅长。针对该参量的模拟，寻找一种集成于9μm外延厚度BCD工艺的优化设计方法......
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