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[期刊论文] 作者：江安庆,
来源：畜牧与兽医 年份：1981
猪“大肾病”在临床上不是一种独立疾病,而是从病理剖检上给予暂时的病名,因其病因尚不一致。但在扬州,病理剖检特征是间质性肾炎。从扬州市肉联厂1979年5—6月份急宰255头中...
[期刊论文] 作者：江安庆,
来源：肉禽蛋 年份：1989
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[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2004
飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的Ga...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2015
美国市场研究公司Gartner近日发布研究报告称,2015年全球半导体行业收入预计将达3580亿美元,较2014年增长5.4%,但仍然低于之前5.8%的增长预期。半导体市场的增长动力包括智能...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2013
近日消息,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6英寸砷化镓晶圆生产...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200V IGBT平台适用于符...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2015
飞思卡尔半导体日前推出了业界最高射频功率的塑封晶体管。新款MRFE6VP61K25N提供的功率超过1250W CW,而新款MRFE6VP6600N提供的功率超过600W。飞思卡尔的塑料封装与大体积的...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)推出全新碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET产品系列─1200V解决方案...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2015
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列CoolMOSTM功率MOSFET,它们具备极低的开关和传导损耗,从而可实现更高的功...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
2014年7月8日,意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,In-sulated-GateBipolarTransistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
意法半导体推出的STHV800 8通道超声波发生器将会降低超声波影像机的成本和尺寸。意法半导体独有的SOI-BCD6制造工艺可在同一颗芯片上集成低压CMOS逻辑电路、精确模拟电路和...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
据国外媒体报道,对英特尔而言,其竞争优势的“核心”在于该公司先进的制造技术。在当今世界,任何PC公司都离不了CPU,任何科技产品都离不开处理器技术。英特尔与众多科技巨头...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
2013年全球半导体市场上升4.4个百分点,达到3043亿美元,为历年最高。美洲、亚太和欧洲的销量分别增长10.3%、7.2%和4.3%,而日本销售下滑幅度达14.5%。2014年全球半导体市场仍...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
随着用于电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用的高压IGBT市场需求不断增长,高压和超高压IGBT栅极驱动器应运而生。日前,英国Amantys公司宣布推出一款针对高功率...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2014
由分立器件发展而来的半导体产业经过长期的发展,分立器件仍是半导体产品的重要部件。虽然在半导体产业中的比重不断缩小,但市场销售额也在不断增长。分立器件作为基础性电子...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2013
富士通半导体(上海)有限公司近日宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2013
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技...
[期刊论文] 作者：江安庆,,
来源：半导体信息 年份：2013
我国自主研发的高压大功率3300 V/50AIGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200 A/3300VIGBT模块,近日通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”...
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