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[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1994
ＳＡＤ０８２０高速８位Ａ／Ｄ转换器是一种具有跟踪／保持功能的８位高速微机兼容Ａ／Ｄ转换器，其转换时间为１．５ｕｓ，功耗为７５ｍＷ，用串并结构来实现Ａ／Ｄ转换器的高速。每４位ＡＤＣ分别由１５个比较器构成；单一电源工作，采用双层多晶硅ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制......
[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1993
本文主要介绍CM303双二选一模拟开关电路的基本结构,包括从电路的版图设计、工艺设计原则,以及采用埋层外延技术,本电路以实现消除闭锁现象为目的。给出了制造工艺条件对外延...
[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍了CM509AP-2双四选一模拟开关电路的工艺设计及电路性能。电路采用外延衬底材料,两次注入源/漏区,以提高击穿电压。制作出的电路在±15V下工作,±22V下无闭...
[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1989
本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。...
[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1995
本文主要讨论了ＳＤＡ７５３３Ｄ／Ａ转换器的工作原理，对其制造工艺进行了详细的研究，最后给出了用优化工艺制造的电路的指标。...
[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍了CM509AP-2双四选一模拟开关电路的工艺设计及电路性能。电路采用外延衬底材料,两次注入源/漏区,以提高击穿电压。制作出的电路在±15V下工作,±22V下无闭锁效应。...
[期刊论文] 作者：江泽福,
来源：微电子学 年份：1982
本文介绍我所自制低压化学汽相沉积设备生长多晶硅工艺情况。通过实验摸索及流水线试片表明,LPCVD反应器生长多晶硅具有成本低、产量大、薄膜均匀及洁静度高等优点。此外,不...
[期刊论文] 作者：江泽福,,
来源：微电子学 年份：1973
对于离子注入MOS结构的研究,要求采用非破坏性的方法来测定硅中注入离子的掺杂分布。迪耳等人采用MOSC_(最大)/C_(最小)方法的热氧化来测量杂质的再分布。因为它基于假设不...
[期刊论文] 作者：D.P.Wadhawan,江泽福,
来源：微电子学 年份：1986
对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-MOS技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产...
[期刊论文] 作者：张家斌,江泽福,
来源：微电子学 年份：1999
阐述了高压大电流快速ＣＭＯＳ驱动器的基本原理及电路设计，版图设计，工艺设计和封装等关键技术，给出了产品研制的结果。...
[期刊论文] 作者：Takahide Ikeda,江泽福,
来源：微电子学 年份：1988
研究了一种适用于高速Bi-CMOS VLSI的隐埋双阱多晶硅发射极结构,已用标准的2μCMOS工艺在同一芯片上制造出一种高截止频率(f_T=4GHz)和小尺寸(500μm~2)的双极晶体管,而没有...
[期刊论文] 作者：杨谟华,江泽福,
来源：半导体学报 年份：1997
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器，ＣＭＯＳＡＢ类放大器，反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的３μｍ硅栅ＣＭＯＳ单片化集成技术，已经获得了一种具有３００ｋＨｚ－１ＭＨｚ恒带宽，０－２０ｄＢ可调增闪，５．６ｍＷ功耗的新......
[期刊论文] 作者：舒辉然,江泽福,
来源：微电子学 年份：1990
本文简述了CM8804的原理、特点及主要用途,介绍了其设计特点,并对研制过程作了分析总结,对器件进行了综合评价。...
[期刊论文] 作者：张家斌,江泽福,胡刚毅,
来源：微电子学 年份：1999
阐述了高压大电流快速CMOS驱动器的基本原理及电路设计、版图设计、工艺设计和封装等关键技术,给出了产品研制的结果The basic principle of high-voltage and high-curren...
[期刊论文] 作者：杨谟华,成勃,于奇,肖兵,谢孟贤,杨存宇,江泽福,严顺炳,
来源：半导体学报 年份：1997
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz...
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