搜索筛选:
搜索耗时1.1564秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：汤梦饶,
来源：厦门大学 年份：2013
SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点，是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点，是实现SiGe...
[期刊论文] 作者：苏倩倩, 汤梦饶,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
本文根据ABCD传输矩阵和Collins衍射积分公式,通过光束坐标与腔体坐标的转换关系,推导出了高斯平顶光束经透镜后,激光间接驱动聚变装置腔内的不同角度横截面的光场分布解析表...
[期刊论文] 作者：苏倩倩,汤梦饶,
来源：激光与光电子学进展 年份：2020
根据ABCD传输矩阵和Collins衍射积分公式,通过光束坐标与腔体坐标间的转换关系,推导高斯平顶光束经过透镜后,激光间接驱动聚变装置腔内不同角度横截面的光场分布解析表达式,着重分析了光束入射角对焦点处及腔内光强分布的影响。仿真结果表明:增大入射光束的入射......
[期刊论文] 作者：刘康, 王加贤, 汤梦饶, 苏倩倩,,
来源：照明工程学报 年份：2018
目前市场上全光谱白光LED能够做到在可见光范围内光谱连续,接近太阳光光谱。采用一种这类全光谱白光LED进行混色的方法,通过理论计算与实验测试研究了不同色温的全光谱白光LE...
[会议论文] 作者：汤梦饶;黄巍;李成;郑元宇;,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-Ge上NiGe薄膜的...
[期刊论文] 作者：严光明, 李成, 汤梦饶, 黄诗浩, 王尘, 卢卫芳, 黄巍,,
来源：物理学报 年份：2013
...
[期刊论文] 作者：严光明,李成,汤梦饶,黄诗浩,王尘,卢卫芳,黄巍,赖虹凯,陈松岩,,
来源：物理学报 年份：2013
金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬...
相关搜索：
