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[会议论文] 作者：汤梦饶;黄巍;李成;郑元宇;,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-Ge上NiGe薄膜的...
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