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[期刊论文] 作者：严北平,汪立椿,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1987
用射频产生的氧等离子体实现了硅的无电极等离子体氧化。研究了氧化膜生长速率对衬底温度、氧气压、衬底离等离子区的距离以及射频功率的依赖关系。氧化膜的特性检测表明:500...
[期刊论文] 作者：相奇,汪立椿,
来源：半导体学报 年份：1988
砷化镓肖特基场效应管有源层中的电子迁移率分布对器件有重要的影响,改变负栅偏压可以测出不同深度处的迁移率,但是由于表面总是处在耗尽状态,因此很难测出表面电子迁移率,本...
[期刊论文] 作者：陈志刚,林奇星,汪立椿,
来源：半导体技术 年份：1989
本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,...
[期刊论文] 作者：梁振宪,韩郑生,罗晋生,汪立椿,
来源：西安交通大学学报 年份：1993
对温度500℃、RF氧等离子体氧化生长的SiO_2形成的MOS结构进行了DLTS测量.应用能量分辨DLTS模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算.结果表明界面电子陷阱在禁带上...
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