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[期刊论文] 作者：汪良衡, 李云涛, 雷华伟, 杨煜, 丁颜颜, 张舟, 刘斌,
来源：红外技术 年份：2018
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领...
[期刊论文] 作者：汪良衡, 李云涛, 雷华伟, 杨煜, 丁颜颜, 张舟, 刘斌,,
来源：红外技术 年份：2018
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[期刊论文] 作者：张舟, 汪良衡, 杨煜, 李云涛, 丁颜颜, 雷华伟, 刘斌,,
来源：红外技术 年份：2018
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[期刊论文] 作者：李云涛, 张舟, 丁颜颜, 杨煜, 雷华伟, 汪良衡, 谭必,
来源：红外技术 年份：2004
武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于In As/Ga Sb II类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15?m的长波红外焦平面探测器。在77 K时...
[会议论文] 作者：丁颜颜, 杨煜, 雷华伟, 胡勤伟, 李云涛, 汪良衡, 刘斌,,
来源：国防光电子论坛第二届新型探测技术及其应用研讨会论文集 年份：2015
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[期刊论文] 作者：张舟,汪良衡,杨煜,李云涛,丁颜颜,雷华伟,刘斌,周文洪,
来源：红外技术 年份：2018
采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料...
[会议论文] 作者：何云斌,黎明锴,张蕾,程海玲,丁雅丽,郑丽兰,汪良衡,邰佳丽,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一，因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点。阳离子改性的合金材料(如MgZnO)的研究一直...
[期刊论文] 作者：刘伟华,刘帆,吴正虎,姚柏文,汪良衡,张冰洁,刘道进,周文洪,
来源：红外 年份：2020
武汉高德红外股份有限公司成功研制了像元尺寸为12 m×12 m的1280×1024大面阵碲镉汞中波红外焦平面探测器。在优化提升材料性能的基础上,突破了小像元钝化开孔、高...
[期刊论文] 作者：李云涛,张舟,丁颜颜,杨煜,雷华伟,汪良衡,谭必松,张传杰,,
来源：红外技术 年份：2019
武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K...
[期刊论文] 作者：刘伟华,刘帆,吴正虎,姚柏文,汪良衡,张冰洁,刘道进,周文洪,,
来源：红外 年份：2020
武汉高德红外股份有限公司成功研制了像元尺寸为12 μm×12μm的1280×1024大面阵碲镉汞中波红外焦平面探测器.在优化提升材料性能的基础上,突破了小像元钝化开孔、高密度小...
[期刊论文] 作者：李云涛,张舟,丁颜颜,杨煜,雷华伟,汪良衡,谭必松,张传杰,刘斌,
来源：红外技术 年份：2019
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