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[期刊论文] 作者：张广银,沈千行,喻巧群,卢烁今,朱阳军,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾，引入了超级结（sJ）器件，通过引入横向电场来提高击穿电压．针对工艺中非对称pillar的设计需求，建立了非对称的研究分析模型，通过......
[期刊论文] 作者：张广银,沈千行,张须坤,田晓丽,卢烁今,朱阳军,,
来源：半导体技术 年份：2016
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,...
[期刊论文] 作者：谭骥,朱阳军,卢烁今,田晓丽,滕渊,杨飞,张广银,沈千行,
来源：物理学报 年份：2016
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）多用于感性负载下的电力电子线路中。这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值，从而造成大量的能量损耗。集电极......
[期刊论文] 作者：谭骥,朱阳军,卢烁今,田晓丽,滕渊,杨飞,张广银,沈千行,,
来源：物理学报 年份：2016
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电...
[期刊论文] 作者：沈千行,张须坤,张广银,杨飞,谭骥,田晓丽,卢烁今,朱阳军,,
来源：半导体技术 年份：2016
发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关键所在。在经历了20多年的发展之后,发射极载...
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