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[期刊论文] 作者：沈德勋,杨从群,
来源：核技术 年份：1989
本文描述了一种20MeV医用电子直线加速器剂量监察和控制系统。系统由透射式平行板电离室和电路组成。平行板电离室电极厚度...
[会议论文] 作者：焦文强,沈德勋,
来源：第八届全国计算机在科学技术中应用学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：沈德勋,吴琦,胡轮,
来源：第二次全国电离辐射计量测试学会会议 年份：1986
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[会议论文] 作者：沈德勋,施毅,滕敏康,
来源：第四届全国正电子湮没谱学会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：沈德勋,林夕奎,吴琦,,
来源：南京大学学报(自然科学版) 年份：1988
在医学、物理学和工程技术等方面,X射线技术得到了广泛的应用。本文介绍一种诊断用X线自动曝线控制器,描述了控制器电离室和电子电路的物理设计。电离室由两个平行板电极组成...
[期刊论文] 作者：沈德勋,滕敏康,王述新,
来源：原子能科学技术 年份：1982
本文分析了液体闪烁计数器的本底计数,并就用光学、在线计算机处理脉冲信号幅度等方法消除串光本底计数的工作进行了研究。实验结果表明,西安262厂生产的FJ—353液体闪烁计数...
[期刊论文] 作者：黄文熙,钱光人,沈德勋,
来源：硅酸盐学报 年份：1991
用正电子湮没技术、X射线衍射线型宽化效应和扫描电镜等手段研究了不同煅烧条件下CaO的活性及其变化规律。结果表明,快速煅烧条件下的新生态CaO不仅晶粒尺寸小、缺陷浓度高,...
[期刊论文] 作者：李杰仁,沈德勋,沙振舜,,
来源：南京大学学报(自然科学版) 年份：1984
本文介绍一种脉冲幅度采集电路与单板计算机构成一个γ能谱数据获取和处理系统。这一多道分析器的精度为256道,分析速度为7×10~3次/秒。文章给出了用该分析器测量~(60)Co、~...
[会议论文] 作者：沈德勋,杨从群,杨方馨,
来源：第二次全国电离辐射计量测试学会会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：滕敏康,徐承文,沈德勋,
来源：核技术 年份：1987
本文介绍的正电子湮没寿命谱和正电子湮没多普勒展宽谱的数据自动获取和处理技术使Can-berra S-40或S-35型多道分析器与IBM-PC/XT微型计算机之间实现了相互通讯及全套的解谱...
[期刊论文] 作者：沈德勋,杨从群,杨方馨,
来源：核技术 年份：1989
本文描述了一种20MeV医用电子直线加速器剂量监察和控制系统。系统由透射式平行板电离室和电路组成。平行板电离室电极厚度...
[会议论文] 作者：尹传元,孙政民,沈德勋,
来源：第四届全国正电子湮没谱学会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：尹传元,沈德勋,滕敏康,周彩华,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1990
本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强...
[期刊论文] 作者：施毅,吴凤美,沈德勋,程开甲,王长河,
来源：半导体学报 年份：1989
中子辐照在半导体硅晶体中形成无序区,使其电学性能受到严重影响.本文根据无序区基本特征,系统分析中子辐照对少数载流子寿命影响的过程,给出了一个完整自洽的计算表达式;理...
[期刊论文] 作者：尹传元,周彩华,沈德勋,滕敏康,
来源：科学通报 年份：1988
一、引言 前人的工作表明,用正电子湮没技术研究高分子材料有着广阔的前景。本文用正电子湮没寿命谱来研究硅橡胶的结构特性具有一定的适用意义。硅橡胶既有优异的耐热性,又...
[期刊论文] 作者：滕敏康,尹传元,沈德勋,薛美娜,
来源：核技术 年份：1985
我们对国产聚四氟乙烯材料在空气中进行了~(60)Coγ射线辐照,辐照剂量为1—6Mrad。测量、分析了不同辐照剂量时的正电子湮没寿命谱。得到的结果是:(1)τ_3随剂量的增加轻微...
[期刊论文] 作者：吴馥梅,黄卫,陆峰,沈德勋,尹传元,
来源：中国应用生理学杂志 年份：1991
正电子湮没技术(positron annihilation technique,PAT)是研究物质微观结构的一项新型实验技术,其应用范围已从金属物理、固体物理、材料化学扩大到生物学领域。国外已...
[期刊论文] 作者：沈德勋,戴开美,曹琼英,燕云,施士元,,
来源：南京大学学报(自然科学版) 年份：1980
用液体闪烁法测定了不同来源、不同年代的地学样品的~(14)C年令。样品包括:西藏海拔3900米到4200米冰川堆积物中的木材,贵州喀斯特洞穴中的木材,江苏省溧阳文化层中的木材,地...
[期刊论文] 作者：吴凤美,沈德勋,滕敏康,陈岭,唐杰,张德宏,
来源：半导体学报 年份：1989
用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空...
[期刊论文] 作者：沈德勋,滕敏康,尹传元,冯修吉,龙世宗,
来源：核技术 年份：1989
对硅酸二钙(Ca_2SiO_4简写为C_2S)掺杂,可以影响它的微观结构、多晶转变、烧成速度等。硅酸二钙是干燥的坚硬粉末,不易压制成型。我们采用垂直放置闪烁探头的测量方法,测量了...
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