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[学位论文] 作者：沈珮,,
来源： 年份：2012
射频SiGe异质结双极晶体管(Hetrojunction bipolar transistor, HBT)作为新型射频器件，因为具有与III-V族器件可媲美的增益特性和频率特性、与现有的Si工艺可兼容的高集成能力...
[期刊论文] 作者：沈珮燕,,
来源：商场现代化 年份：2014
金融衍生产品自20世纪80年代以来经历了一个迅速发展过程,国际金融市场因金融衍生产品的出现而百花齐放,金融衍生产品市场交易额的增长很大程度上超越传统金融产品,并逐步成...
[期刊论文] 作者：沈珮瑄,,
来源：福建教育 年份：2016
一、案例实录"搓搓手心,搓搓手背,搓搓手指缝,指甲也要搓一搓……"西西边念儿歌边认真洗完手后,仰着小脸冲着我笑眯眯地说:"老师,我还没洗干净,我要再洗一遍。"只见他放...
[学位论文] 作者：沈珮琰,
来源：齐鲁工业大学 年份：2021
当前,高纯度溶解浆已经被广泛用于纺织、食品、橡胶等领域。但传统溶解浆的制备方法(PHK,AS)存在蒸煮温度高,能耗大,化学品不能回收等问题。因此,亟待开发一种绿色环保、蒸煮条件温和的溶解浆制备方式。在此背景下,本研究以可回收利用的对甲苯磺酸(p-TsOH)溶液......
[期刊论文] 作者：沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,,
来源：电子与信息学报 年份：2010
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、...
[期刊论文] 作者：陈志磊, 沈珮, 李臻, 郭重阳,,
来源：供用电 年份：2019
全球能源互联网(GEI)是一项史无前例、错综复杂的巨系统和大工程,为有效指导GEI研究和建设,亟须开展相关标准体系的建设工作。科学有效的标准化方法是开展GEI标准体系建设工...
[期刊论文] 作者：沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄璐,,
来源：北京工业大学学报 年份：2012
研究有源器件SiGeHBT的几何参数对单片低噪声放大器（LNA）噪声性能的影响．基于0．35μmSiGeBiCMOS工艺，研制了4款采用不同几何参数的SiGeHBTLNA．实验结果显示，在给定的偏置条件下，当发......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,谢红云,沈珮,王扬,,
来源：北京工业大学学报 年份：2008
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响，从热电反馈网络出发，阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义．在考虑发射极电流正温度系数、器件能......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,沈珮,谢红云,王扬,
来源：半导体学报 年份：2007
成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管（HBT）用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明，在相同的工作条件下，与传统的均匀发射极条间距HBT相比，非均匀结构HBT的峰值......
[期刊论文] 作者：金冬月,张万荣,沈珮,谢红云,王扬,,
来源：半导体学报 年份：2007
成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT...
[期刊论文] 作者：沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄毅文,
来源：高技术通讯 年份：2011
设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使......
[期刊论文] 作者：甘军宁,张万荣,谢红云,金冬月,沈珮,李佳,
来源：电子器件 年份：2009
第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第...
[期刊论文] 作者：李佳,张万荣,谢红云,金冬月,沈珮,甘军宁,,
来源：电子器件 年份：2009
根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、...
[期刊论文] 作者：沈珮,张万荣,谢红云,金冬月,李佳,甘军宁,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2009
本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06......
[期刊论文] 作者：李佳,张万荣,谢红云,张蔚,沈珮,甘军宁,,
来源：半导体技术 年份：2008
基于IEEE802．11a标准描述了一款SiGeHBT低噪声放大器（LNA）的设计。为适应该标准的要求，给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGeHBTs作为有源元件，采用T型输入、输出匹...
[期刊论文] 作者：甘军宁,张万荣,谢红云,何莉剑,李佳,沈珮,,
来源：半导体技术 年份：2008
为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指...
[期刊论文] 作者：陆志航, 底烨, 沈珮琳, 乔小玲, 蒋珍娟,,
来源：日用化学品科学 年份：2019
根据产品宣称趋势和消费者使用痛点,建立了底妆产品体外评价体系,即测试产品在黑白色卡上成膜后的对比率来确定遮盖力,测定产品对人造皮革的光泽度改善来确定提亮效果,分别测...
[期刊论文] 作者：黄璐,张万荣,谢红云,沈珮,黄毅文,胡宁,,
来源：半导体技术 年份：2009
选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统...
[期刊论文] 作者：黄毅文,张万荣,谢红云,沈珮,黄璐,胡宁,,
来源：微电子学 年份：2009
基于Jazz 0．35μm SiGe工艺，设计了一款工作在3～10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构，并在发射极并联电容，以补偿晶体管高频增益的下降。仿真结果显......
[期刊论文] 作者：尤云霞, 张万荣, 金冬月, 谢红云, 沈珮, 陈亮, 丁春,
来源：电子器件 年份：2010
基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共...
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