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[期刊论文] 作者：沈聚伦,
来源：半导体技术 年份：1982
我们在试制3DD101管的过程中,摸索出一种选择发射区磷扩散工艺条件的新方法。只要根据基区硼扩散后实测的方块电阻和结深计算出磷预淀积的通源时间和磷主扩散时间就能得到满...
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