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[期刊论文] 作者：沈静志,徐至中,
来源：半导体学报 年份：1990
本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了带边状态密度在超晶格每一层的分布情...
[期刊论文] 作者：徐至中,沈静志,
来源：半导体学报 年份：1986
以 In/InP(110)及 P/InP(110)表面模拟富 In及富P的InP表面,采用半经验的紧束缚方法计算了 In/InP(110)及 P/InP(110)表面的电子能态.并与实验结果相比较,讨论了InP(110)表面...
[期刊论文] 作者：沈静志,徐至中,
来源：半导体学报 年份：1990
本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了带边状态密度在超晶格每一层的分布情况,计...
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