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本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料<110>方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了带边状态密度在超晶格每一层的分布情况,计算了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格的能隙随厚度、组份的变化趋势。研究结果表明:薄层超晶格与具有相同化学组份的混晶的电子结构基本相同,能隙边状态密度偏重于分布在超晶格的GaInPAs原子层内。