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[期刊论文] 作者:洪雷萍,
来源:微电子技术 年份:1994
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[期刊论文] 作者:洪雷萍,
来源:微电子技术 年份:1995
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[期刊论文] 作者:洪雷萍,
来源:微电子技术 年份:1996
据《国际半导体》杂志(英文)1995年第8期报道,三菱公司和日立公司已联合开发了一个3.3V单电源的DINOR(双或非)快速存储器。三菱公司还开发了一种适用于1GDRAM芯片的低功耗、高速DRA......
[期刊论文] 作者:洪雷萍,
来源:微电子技术 年份:1996
据《国际半导体》(英)杂志1995年第8期报道,由ICE公司微电子实验室(ICE,苏格兰、亚利桑)的分析表明,早期主要的64MbDRAM是采用0.35μm工艺技术(见表1)然而ICE工程师相信这些半导体制造......
[期刊论文] 作者:洪雷萍,
来源:微电子技术 年份:1996
据《国际半导体》杂志(英文)1995年第8期报道,NEC公司和AT&T微电子公司最近签订了一个联合开发0.25μm制造工艺的协议。此协议较早些时候的关于两个公司同时开始开发生产工艺的协......
[期刊论文] 作者:洪雷萍,石松,
来源:微电子技术 年份:1993
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[期刊论文] 作者:洪雷萍,白水,
来源:微电子技术 年份:1994
随着集成电路设计规则正在向0.25μm缩小,提出了改进窄间隙填充、局部平坦化的工艺技术的要求。各种间隙填充淀积和深腐蚀(etchbcck)技术,当图形尺寸缩小到0.35μm左右时。使电路成......
[期刊论文] 作者:洪雷萍,洛斯,
来源:微电子技术 年份:1994
亚太地区的半导体工业已达到空前的发展速度。器件产量由1988年的15亿美元上升到1992年的47亿美元。韩国的集成电路工业在短短的七年里增长了五倍。台湾的半导体产值在该地区...
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